LED芯片制造技术

一种LED芯片，包括：依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和反射层；5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离。其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布，提高了发光均匀性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
LED芯片
本技术涉及发光元件
，具体涉及ー种LED芯片。
技术介绍
随着LED (Light Emitting Diode,发光二极管)照明技术的日益发展，LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。LED的发光是利用正极的电流到达负极所完成，电流会以最小的电阻路线由正极到达负极，一般电阻值决定于电流路线的远近，正极到负极越近则电阻值越小、正极到负极越远则电阻就越大。然而，现有LED中的电极通常为金属线状，这使得单点的ー个电流从正极进入负极，并以正极到负极给电流最近的距离最亮，其它位置将由于距离金属线较远而电阻较大、相对较暗，从而存在电流密度不均匀、导致发光不均匀的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术要解决的技术问题是，如何使得LED的发光尽量均匀而不影响量子阱发光面积。为了解决上述问题，根据本技术ー实施例，提供了ー种LED芯片，其包括:衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第ニ导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离。其中，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，所述第一电极孔在所述第一导电型半导体层的正面上均匀分布。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，所述对称图形为以下图形中的任意ー种或多种:对称多边形、弧形、以及圆形。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，还包括导电层，所述导电层由高透射率的导电材料形成，所述导电层位于所述第二导电型半导体层和所述反射层之间，并且所述第一电极孔延伸穿过所述导电层。其中，所述高透射率的导电材料可为例如IT0、Zn0、导电性高分子材料、PEDOT或纳米碳材的导电玻璃。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，在所述导电层、所述第一电极和所述第二电极至少之ー上形成有保护层，所述保护层可由钛、镍、铬和金中的ー种或几种制成。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，所述第一电极包括:填充各所述第一电极孔的电极材料，以及将填充位于第二电极区内的第一电极孔中的电极材料连接至位于第一电极区内的第一电极孔中的电极材料的引线，其中，所述第一电极区是指所述第一电极在所述反射层的正面的存在区域，所述第二电极区是指所述第二电极在所述反射层的正面的存在区域。另ー方面，所述第二电极包括:填充各所述第二电极孔的电极材料，以及使填充各所述第二电极孔的电极材料避开各所述第一电极孔和所述引线而相互连接的部分。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，所述反射层由单层或者多层高反射率的绝缘材料制成，所述高反射率的绝缘材料可为Si02、DBR或光子晶体结构，所述DBR可由 Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS 中的ー种或几种制成。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，所述隔离层由绝缘材料制成，所述绝缘材料可为Si02、DBR或光子晶体结构，所述DBR可由Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS中的ー种或几种制成。对于上述LED芯片，在ー种可能的实现方式中，还包括绝缘保护膜，所述绝缘保护膜优选由例如ニ氧化硅的高硬度绝缘材料制成，覆盖该LED芯片的所有侧面、而仅暴露所述第一电极和所述第二电极。通过使至少部分第一电极孔被多个第二电极孔呈对称图形状围绕，其中，第一电极孔用以使第一电极与第一导电型半导体层电性连接，第二电极孔用以使第二电极与第二导电型半导体层电性连接，根据本技术实施例的LED芯片及其制造方法能够使得LED中至少部分正电极到负电极的距离一致、至少部分正电极到负电极电流的电阻一致，从而与现有技术相比，能够提高电流密度的均匀性、发光的均匀性。【附图说明】包含在说明书中并且构成说明书的一部分的说明书附图与说明书一起示出了本技术的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本技术的原理。图1为本技术实施例的LED芯片的制造方法的流程图；图2 (a)-图2 Cd)分别为本技术实施例的LED芯片的制造方法中所形成结构的剖面图；图3 (a)-图3 Ce)分别为本技术实施例的LED芯片的制造方法中所形成结构的俯视图；图4 (a)-图4 Ce)为本技术实施例的LED芯片的剖面图。图5 Ca)-图5 (b)为利用本技术实施例的LED芯片形成HV-LED结构的俯视图和剖面图。附图标记说明10:衬底；20:第一导电型半导体层；30:发光层；40:第二导电型半导体层；50:第一电极孔;60:导电层；70:反射层；80:第二电极孔；90:绝缘保护层；500:第一电极；510:第一电极接点；800:第二电极；810:第二电极接点；900:导电金属；1000:基板。【具体实施方式】以下将參考附图详细说明本技术的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。另外，为了更好的说明本技术，在下文的【具体实施方式】中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有这些具体细节，本技术同样可以实施。在另外ー些实例中，对于大家熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本技术的主_。图1为根据本技术实施例的LED芯片制造方法的流程图，结合图2 Ca)-图2(d)、图3 (a)-图3 (e)所示详细说明如下。该方法包括:步骤SI，对于在衬底10上依次层叠有第一导电型半导体层20、发光层30和第二导电型半导体层40的LED外延片，通过例如干式或者湿式的蚀刻方式，利用第一掩模刻蚀第二导电型半导体层40及发光层30以暴露第一导电型半导体层20，形成如图2 Ca)所示第二导电型半导体层40和发光层30中包含有至少ー个直径不超过46微米的第一电极孔50的结构。其中，第一电极孔50将用于使下述的第一电极与第一导电型半导体层20接触，并优选如图3 (a)所示尽可能分布均匀。在ー种可能的具体实现方式中，第一电极孔50的直径优选为不超过40微米。在ー种可能的实现方式中，衬底10可具体为各种具有不同晶向的衬底，例如蓝宝石、硅或者碳化硅衬底。此外，第一导电型半导体层20的材料可以为n型氮化铝铟镓系列材料，也可以为n型磷化铝铟镓系列材料(AlGalnP)。第二导电型半导体层40的材料可以为p型氮化铝铟嫁系列材料，也可以为P型憐化招钢嫁系列材料。在一种可能的实现方式中，弟一导电型半导体层20和第二导电型半导体层40分别采用n型氮化镓和p型氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。

【技术特征摘要】
1.ー种LED芯片，其特征在于，包括: 衬底； 第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面； 发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面； 第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面； 反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面； 5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层； 多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层； 第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触； 第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及 隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离， 其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极孔在所述第一导电型半导体层的正面上均匀分布。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述对称图形为以下图形中的任意一种或多种:对称多边形...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴裕朝，吴冠伟，刘艳，王瑞庆，
申请(专利权)人：刘艳，
类型：实用新型
国别省市：