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本实用新型提出一种LED芯片，包括：衬底，在所述衬底之上依次形成的缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上形成有刻蚀至N型半导体层的台阶；P电极，所述P电极形成在所述P型半导体层上；N电极，所述N电极形成在台阶上并与N...
该专利属于惠州比亚迪实业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠州比亚迪实业有限公司授权不得商用。

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