一种LED芯片制造技术

一种LED芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域，尤其是涉及一种LED芯片。
技术介绍
LED作为新一代的固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。现有封装过程中，直接在LED芯片上喷涂一层荧光粉，然后用模具进行透镜封装。传统的LED芯片具有五面出光的特点，因此除了正面喷涂荧光粉能正常出光外，其他四面侧壁容易出现漏蓝、发黄等的问题，存在较严重不同角度颜色差异。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种LED芯片， 以解决现有技术中LED芯片漏蓝、发黄等的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种LED芯片，包括：衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，包括：衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面，其中，位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化；欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面；电极结构，所述电极结构包括：...

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括：衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，何键云，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44