一种倒装型DBR-LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒装型DBR‑LED芯片的制备方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；沿P型GaN层表面沉积形成透明ITO电流扩展层；以第一光刻胶为掩膜，形成N型导电开口；以第二光刻胶为掩膜，形成隔离沟槽；整面沉积形成钝化反射结构；以第三光刻胶为掩膜，在钝化反射结构中刻蚀形成N型通孔和P型通孔；以第四光刻胶为掩膜，在钝化反射结构上蒸镀形成N型金属层和P型金属层，N型金属层连接N型GaN层，P型金属层连接透明ITO电流扩展层。本发明专利技术可以有效简化工艺过程，减少材料消耗，以及缩短工艺流水时间，从而能够显著降低芯片的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种倒装型dbr-led芯片的制备方法。

技术介绍

1、图1示出了现有倒装型dbr-led芯片的结构示意图，倒装型dbr-led芯片(dbr指的是分布式布拉格反射器)的传统制程包括：在蓝宝石衬底1上依次生长n型gan层2'、量子阱层2”和p型gan层2”'，形成外延层2；通过光刻及刻蚀，在外延层2中形成台阶结构(mesa台阶)，露出n型gan层2'；通过光刻及刻蚀，在外延层2中形成隔离沟槽3，露出蓝宝石衬底1；沉积形成透明ito电流扩展层4并图案化处理；通过光刻及蒸镀，在mesa台阶的n型gan层2'上形成n型电极金属层5'，在图案化处理的透明ito电流扩展层4上形成p型电极金属层5”；整面沉积形成钝化反射层6，覆盖蓝宝石衬底1上的结构的整个表面；通过光刻和刻蚀，在钝化反射层6中形成n型通孔和p型通孔；通过光刻和蒸镀，在钝化反射层6上形成n型焊盘金属层7'和p型焊盘金属层7”，n型焊盘金属层7'通过n型通孔连接n型电极金属层5'，p型焊盘金属层7”通过p型通孔连接p型电极金属层5”。

2、在倒装型dbr-led芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种倒装型DBR-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的倒装型DBR-LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤S2之前，还包括：

3.如权利要求1所述的倒装型DBR-LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

4.如权利要求3所述的倒装型DBR-LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3包括：

5.如权利要求1、3或4所述的倒装型DBR-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述N型导电开口的侧壁倾斜过渡至所述N型GaN层中，所述N型导电开口的侧壁的倾斜角度范围为40°～60°。</p>

6.如权...

【技术特征摘要】

1.一种倒装型dbr-led芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的倒装型dbr-led芯片的制备方法，其特征在于，在步骤s2之前，还包括：

3.如权利要求1所述的倒装型dbr-led芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3包括：

4.如权利要求3所述的倒装型dbr-led芯片的制备方法，其特征在于，步骤s3包括：

5.如权利要求1、3或4所述的倒装型dbr-led芯片的制备方法，其特征在于，所述n型导电开口的侧壁倾斜过渡至所述n型gan层中，所述n型导电开口的侧壁的倾斜角度范围为40°～60°。

6.如权利要求1、3或4所述的倒装型dbr-led芯片的制备方法，其特征在于，所述隔离沟槽的侧壁倾斜过渡至所述蓝宝石衬底表面，所述隔离沟槽的侧壁的倾斜角度范围为40°～60°。

7.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓梓阳，唐恝，范凯平，于倩倩，蒋如，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：