The invention provides a light emitting diode structure and a manufacturing method thereof, which comprises a substrate, a light emitting epitaxial structure, which is located on the substrate, including a successively stacked N-type semiconductor layer, a light emitting layer and a P-type semiconductor layer, and the light emitting wavelength is set to lambda. The structure is characterized in that a cylindrical wave is distributed on the side of the epitaxial layer and/or the substrate. The width of the waveguide structure is d times the integral multiple of 1/4 lambda to achieve the effect of reflecting waveguide. A cylindrical waveguide structure is distributed on the side of the epitaxial layer and/or substrate, and the width of the waveguide structure is an integral multiple of 1/4 lambda to achieve the reflection waveguide effect. The light emitted by the light emitting layer can be scattered/reflected by the waveguide structure on the side of the epitaxial layer or substrate, and then emitted outward, thereby enhancing the light extraction efficiency. To improve the brightness of light-emitting diodes.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构及其制作方法
本专利技术属于半导体照明领域,特别是涉及一种发光二极管结构及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文为LightEmittingDiode,缩写为LED)由于具有寿命长、耗能低等优点,应用于各种领域,其中以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点,在高亮度发光二极管、激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力,引起了人们的广泛关注。目前倒装LED芯片设计,为了防止侧面发生漏电,通常都会做一道蚀刻到衬底的绝缘(Isolation)工艺,而这道工艺会牺牲芯片较大的发光区,从而影响了光的有效取出,导致芯片发光效率较为有限。基于以上所述,提供一种可以有效提高LED芯片光萃取效率的发光二极管结构及其制作方法实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于:提供一种发光二极管结构及其制作方法,用于解决现有技术中发光二极管芯片外部光萃取较低而导致发光效率降低的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种发光二极管结构,所述发光二极管结构,包括:衬底;发光外延结构,位于所述衬底上,包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层,发光波长设为λ;其特征在于:所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构,所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。优选地,所述λ介于300~700μm。优选地,所述发光外延结构及衬底的侧面长度≤100μm。优选地,所述发光外延结构、衬底侧面与水平面呈倾斜角,倾斜角度介于20~70°。优选地,所述发光外 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管结构,包括:衬底;发光外延结构,位于所述衬底上,包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层,发光波长设为λ;其特征在于:所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构,所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构,包括:衬底;发光外延结构,位于所述衬底上,包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层,发光波长设为λ;其特征在于:所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构,所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:所述λ介于300~700μm。3.根据权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:所述发光外延结构及衬底的侧面长度≤100μm。4.根据权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:所述发光外延结构、衬底侧面与水平面呈倾斜角,倾斜角度介于20~70°。5.根据权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:所述发光外延结构具有去除了部分的P型半导体层、发光层及N型半导体层所形成的N电极制备区域。6.一种发光二极管结构的制作方法,包括工艺步骤:(1)提供一衬底,于所述衬底上形成发光外延结构,所述外延结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层,发光波长设为λ;(2)于所述发光外延结构表面上形成复合阻挡层,所述复合阻挡层包括两种蚀刻速率不同的掩膜层...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭康伟,林素慧,何安和,许圣贤,
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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