The present disclosure relates to a light emitting device including: a gallium nitride substrate, including a semi polar gallium nitride crystal grown along a semi polar crystal phase, a first reflection structure on a gallium nitride substrate, a light emitting structure, on the first reflection structure, a second reflection structure, and an optical structure.
【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本公开涉及一种发光装置及其制造方法。
技术介绍
最近几年，美国的加州大学圣芭芭拉分校和日本的SONY、SUMITOMO等一些氮化镓(GaN)的研究机构和公司成功地在一些特殊的GaN半极性晶面上制备了高功率、高效率的蓝、绿光发光二极管和激光二极管等。这些GaN的特殊晶面(诸如(2021)、(3031)的晶面)在高效率、低效率衰退(efficiencydroop)的发光二极管(LED)以及高功率长波长激光二极管(LD)上有着极大的潜力和优势。现在已经有少量报道在C面GaN上成功制备了垂直腔面出光的激光器(VCSEL)。在传统的VCSEL中的布拉格反射镜主要采用的是AlGaN/GaN超晶格层或者不导电的介质层SiO2/Ti2O5组成的反射层。对于AlGaN层，由于AlGaN的折射率与GaN的折射率差异小(最大的折射率差异只有0.15)，因此需要生长很多对AlGaN/GaN超晶格层来实现高的反射率。然而由于AlGaN和GaN的晶格失配，生长太多的AlGaN/GaN超晶格层会导致AlGaN外延生长困难，在AlGaN层中容易产生裂痕。这些裂纹会严重影响其...
【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：氮化镓衬底，包括沿半极性晶相生长的半极性氮化镓晶体；第一反射结构，在氮化镓衬底上；发光结构，在第一反射结构上；第二反射结构，在发光结构上。
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：氮化镓衬底，包括沿半极性晶相生长的半极性氮化镓晶体；第一反射结构，在氮化镓衬底上；发光结构，在第一反射结构上；第二反射结构，在发光结构上。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，氮化镓衬底包括沿半极性晶相(2021)生长的半极性氮化镓晶。3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，氮化镓衬底的层错的数量为0。4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，第一反射结构包括第一分布布拉格反射结构。5.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，第一分布布拉格反射结构包括具有第一折射率的多个第一介质层和具有与第一折射率不同的第二折射率的多个第二介质层，其中，第一介质层在氮化镓衬底上或在第二介质层上，第二介质层在第一介质层上。6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，第一介质层为n++型GaN层，第二介质层为n型GaN层。7.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，第一介质层包括纳米孔。8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，第一介质层包括的纳米孔的密度为10％至80％，或者纳米孔的孔径为5～100nm，或者纳米孔的孔径为10至20nm。9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，第一介质层的第一折射率为0至2.5nm，或者第一介质层的第一折射率为1.5～2。10.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，通过电化学蚀刻来形成第一介质层中的纳米孔。11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括在氮化镓衬底和第一反射结构之间的导电层和隔离层，其中，导电层在氮化镓衬底上，以在用于形成第一介质层中的纳米孔的电化学蚀刻中被用作传输电子的介质；隔离层在导电层上并位于导电层和第一反射结构之间，以在用于形成第一介质层中的纳米孔的电化学蚀刻中将导电层与电化学蚀刻所采用的溶剂隔离开。12.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，发光结构包括：有源层，在第一反射结构上；电子阻挡层，在有源层上；隧道结层，在电子阻挡层上。13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，第二反射结构包括第二分布布拉格反射结构。14.如权利要求13所述的发光装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈辰，宋杰，崔周源，
申请(专利权)人：赛富乐斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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