包含量子点的半导体器件制造技术

本申请提供半导体器件。该半导体器件可以包括：多个发光器件，包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，其中多个发光器件中的每一个包括第一欧姆接触和第二欧姆接触；和包含嵌入式量子点的光转换装置，所述光转换装置的第一部分包括多个用于将第一发光器件产生的光转换为第一颜色光的第一量子点，所述第二光转换装置的第二部分包括多个量子点，用于将第二发光器件产生的光转换为第二颜色光，所述第三发光装置发出第三种颜色光。第三发光装置发出第三种颜色光。第三发光装置发出第三种颜色光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含量子点的半导体器件
[0001]对相关应用程序的交叉引用
[0002]本申请要求以下美国专利申请的优先权：申请号US62/964,101，专利名称为包含量子点的发光设备(Light
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Emitting Devices Incorporating Quantum Dots)，申请日为2020年1月21日；专利申请号US62/968,579，专利名称为包含量子点的光转换器件(Light
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ConversionDevices Incorporating Quantum Dots)，申请日为2020年1月31日；专利申请号US63/002,757，专利名称为包含量子点的光转换器件保护层(Protection Layers for Light
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Conversion Devices IncorporatingQuantum Dots)，申请日为2020年3月31日，每个申请文件的全部内容并入本文。


[0003]本申请的实施方式总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及包含量子点(QD)的半导体器件及其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包含量子点的半导体器件，包括：包含第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的发光结构，其中第一发光器件、第二发光器件中的每一个发光元件，第三发光元件包括第一欧姆触点和第二欧姆触点；和光转换装置，包括一个或多个具有嵌入量子点的多孔结构，光转换装置的第一部分包括多个第一量子点，用于将第一发光器件产生的光转换成第一颜色光，其中光转换装置的第二部分包括用于将第二发光器件产生的光转换成第二颜色光的多个第二量子点，第三发光器件发出第三颜色光。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个第一量子点被放置在所述光转换器件的第一部分中的多个第一孔中，并且所述多个第二量子点被放置在所述光转换器件的第二部分中。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，该多个第一孔中至少一个第一孔的直径不大于500纳米，并且所述多个第一孔中的至少一个第一孔的深度不小于1微米。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述多个第一孔中的至少一个第一孔的直径不小于1nm。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括保护结构，该保护结构覆盖嵌入在所述一个或多个多孔结构中的一个或多个量子点的表面。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述保护结构位于所述发光结构与一个或多个多孔结构之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述光转换装置的该第一部分与该光转换装置的第二部分被一沟槽隔开，所述沟槽的至少一个侧壁涂覆有金属材料。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括散射介质，所述散射介质被用于引起至少一部分由所述发光结构产生的光的散射。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，该半导体器件的侧壁涂覆有反射材料。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述一个或多个多孔结构不与该发光结构直接接触。11.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述第一颜色光是红光，所述第二颜色光是绿光，并且所述第三颜色光是蓝光。12.根据权利要求1所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋杰，陈辰，
申请(专利权)人：赛富乐斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：