一种HEMT器件结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种HEMT器件结构及其制作方法，通过调整源场板与源极的连接方式，源场板的纵向末端设有连接部，连接部超出栅极的纵向末端并弯折延伸至与源极的同侧纵向末端连接；连接部的弯折部分的宽度大于源场板的宽度，从而消除沿着栅条方向栅极与源极之间的电阻最低点，避免静电电荷积聚于局部位置导致的ESD测试中提前击穿。ESD测试中提前击穿。ESD测试中提前击穿。

【技术实现步骤摘要】
一种HEMT器件结构及制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种提高HEMT ESD的器件结构及制作方法。

技术介绍

[0002]静电，通常都是人为产生的，如生产、组装、测试、存放、搬运等过程中都可能使得静电累计在人体、仪器或设备中，甚至元器件本身也会存在静电积累，当人们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径，瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电的损坏，因为静电通常瞬间电压非常高(几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁，所以预防静电损伤是IC设计和制造的难题。
[0003]参考图1，在HEMT HBM的ESD测试中，需要进行肖特基结G
‑
S反向测试。参考图2，在常规结构中，场板FP位于栅极G靠近漏极D的一侧，通过垮桥方式与源极S连接，连接处FP1的金属相对较窄，是电阻最低与击穿电压最低点，静电电荷积聚于此局部位置而容易导致提前击穿。经统计，在由场板FP和源极S连接处烧毁导致的ESD测试失效比例达到了50％左右。而若增大连接处的宽度和面积，则会增大器件的寄生电容，影本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HEMT器件结构，其特征在于：包括具有异质结的半导体主体，以及设于半导体主体上的源极、漏极、栅极和源场板；所述半导体主体具有有源区和位于有源区之外的无源区，所述源极、漏极、栅极和源场板均为条形结构并分别于有源区内沿纵向延伸，其中栅极位于源极和漏极之间，源场板位于栅极靠近漏极的一侧；所述源场板的纵向末端设有连接部，所述连接部超出栅极的纵向末端并弯折延伸至与源极的同侧纵向末端连接；所述连接部的弯折部分的宽度大于所述源场板的宽度。2.根据权利要求1所述的HEMT器件结构，其特征在于：所述连接部由所述源场板的纵向末端延伸至无源区，并于无源区弯折延伸至与有源区内的源极的同侧纵向末端连接。3.根据权利要求2所述的HEMT器件结构，其特征在于：所述连接部包括由所述源场板末端纵向延伸、超出所述栅极末端并进入无源区的延伸区，由延伸区横向弯折的第一弯折区和由第一弯折区纵向弯折至所述源极的末端之上的第二弯折区，所述延伸区、第一弯折区和第二弯折区的宽度依次增大。4.根据权利要求3所述的HEMT器件结构，其特征在于：所述第二弯折区与所述源极平行，且宽度小于所述源极的宽度。5.根据权利要求4所述的HEMT器件结构，其特征在于：所述场板的宽度≤2μm，所述第一弯折区的宽度大于2μm，所述第二弯折区的宽度比所述源极的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：