The present disclosure relates to a light emitting device, which comprises a gallium nitride substrate including a semipolar gallium nitride crystal grown along a semipolar crystal phase, an electron implantation layer on a gallium nitride substrate, a coating layer on a gallium nitride substrate containing a gallium nitride coating, and a light emitting layer on a coating layer.
【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本公开涉及一种发光装置及其制造方法。
技术介绍
最近几年，美国的加州大学圣芭芭拉分校和日本的SONY、SUMITOMO等一些氮化镓(GaN)的研究机构和公司成功地在一些特殊的GaN半极性晶面上制备了高功率、高效率的蓝、绿光发光二极管和激光二极管等。这些GaN的特殊晶面(诸如(2021)、(3031)的晶面)在高效率、低效率衰退(efficiencydroop)的发光二极管(LED)以及高功率长波长激光二极管(LD)上有着极大的潜力和优势。现在已经有报道在GaN的(2021)晶面上成功制备了长波长的绿光激光二极管。传统的C面GaN激光二极管，随着发光波长的增加，激射的阈值电流密度逐渐升高，导致光电转化效率低下。然而，对比C面GaN激光二极管，GaN(2021)面上制备的激光随着发光波长的增加，其激射的阈值电流密度升高较缓慢，因为半极性(2021)GaN的极化电场比C面的要小很多，因此随着In组分的增加导致的发光波长的增加，相比C面而言，会有更多的电子空穴参与复合发光，因而可以得到更高的光电转换效率。可惜的是，即便是GaN(2021)晶面上的激光...
【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：氮化镓衬底，包括沿半极性晶相(2021)生长的半极性氮化镓晶体；电子注入层，在氮化镓衬底上；包覆层，在氮化镓衬底上，包覆层包含氮化镓；发光层，在包覆层上。
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：氮化镓衬底，包括沿半极性晶相(2021)生长的半极性氮化镓晶体；电子注入层，在氮化镓衬底上；包覆层，在氮化镓衬底上，包覆层包含氮化镓；发光层，在包覆层上。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，氮化镓衬底包括沿半极性晶相(2021)生长的半极性氮化镓晶体。3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括：第一波导层，在包覆层和发光层之间；电子阻挡层，在发光层上；第二波导层，在电子阻挡层上；以及空穴注入层，在第二波导层上。4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括：第一电极，在电子注入层上；第二电极，在空穴注入层上。5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包覆层为n++型GaN层。6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包覆层包括纳米孔。7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，包覆层包括的纳米孔的密度为10％至80％，或者纳米孔的孔径为5～100nm，或者纳米孔的孔径为10至20nm。8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，包覆层的折射率为1至2.5，或者包覆层的折射率为1.5～2。9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，通过电化学蚀刻来形成包覆层中的纳米孔。10.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，电子注入层被构造为在用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈辰，宋杰，崔周源，
申请(专利权)人：赛富乐斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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