包括二极管的半导体装置以及静电放电保护装置制造方法及图纸
Semiconductor device including diode and electrostatic discharge protector
The present invention relates to a semiconductor device including the substrate (6) at least two holes with different width and depth in the implementation of the (18, 20), and the formation of a diode (4), wherein the substrate (6) having a doping type, and determine, among them, each hole (doping 18, 20) of the inner wall, the doping type and doping substrate (6), a hole (18, 20) and / or the depth and width of the adjacent hole width and / or depth.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括二极管的半导体装置以及静电放电保护装置
本专利技术涉及到包括二极管的一种半导体装置，更具体而言，涉及到一种静电放电(ESD)保护装置。
技术介绍
近年来，发光二极管(LED)集成是比如信令这样的应用中或者家用照明中的主要问题。实际上，希望在几年内在照明应用中用LED，更具体而言，用高亮度LED代替传统灯具。通常，用在蓝宝石基板上生成的以InGaN(铟镓)为基础的材料开发了所述高亮度LED，所述蓝宝石基板是绝缘材料。这种基板的使用导致高亮度LED对静电放电的高敏感度。从生产到现场服务的任何一点都可以发生静电放电和静电损伤。这是因为在不受控的环境中通过不恰当的ESD控制措施操作装置导致的。例如，正向偏压ESD脉冲在没有损害的情况下穿过LED，但是反向偏压ESD脉冲却会产生严重故障。按照军用标准静电放电控制(mil-std-1686c)，通常认为InGaNLED模具是“1级”装置。要被认为是“1级”，部件需要通过人体模型试验承受20伏的偏压以及130伏的电压。为了避免因为ESD放电产生的可靠性问题，LED制造商有很多电子装置可供使用。最受欢迎的是陶瓷电容器、齐纳二极...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括在基板(6)中实施的具有各自宽度和深度的至少两个孔(18，20)，并且形成一种二极管(4)其中，基板(6)具有确定的掺杂类型，而且其中，掺杂每个孔(18，20)的内壁，μ使其掺杂类型与基板(6)掺杂不同，其特征在于，一个孔(18，20)的宽度和/或深度与相邻孔的宽度和/或深度不同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.10 EP 14306394.91.一种半导体装置，包括在基板(6)中实施的具有各自宽度和深度的至少两个孔(18，20)，并且形成一种二极管(4)其中，基板(6)具有确定的掺杂类型，而且其中，掺杂每个孔(18，20)的内壁，μ使其掺杂类型与基板(6)掺杂不同，其特征在于，一个孔(18，20)的宽度和/或深度与相邻孔的宽度和/或深度不同。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个孔(18，20)都是圆形孔，而且特征还在于每个孔的宽度都与其直径相对应。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，二极管(4)包括至少两行孔(24，26)，每行孔(24，26)都平行于另一行孔，特征还在于，同一行孔的宽度和深度相同，而且特征还在于，孔的深度和/或宽度按照从一行孔向相邻行孔的方向增长。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个孔(18，20)都是沟槽(38，40)。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，每个沟槽(38，40)都平行于其它沟槽(38，40)，而且特征还在于沟槽(38，40)的深度和/或宽度按照从一个沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉莱斯·弗鲁，尼库拉斯·诺赫利厄，伯特兰德·考里沃德，
申请(专利权)人：IPDIA公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR
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