有机发光二极管显示器及其制造方法技术

公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。在一方面，OLED显示器包括：基底，具有主表面；像素，设置在基底的主表面的上方，并由构造为显示图像的第一区域和构造为透射外部光的第二区域限定。像素包括设置在第一区域中的第一电极以及至少设置在第一区域中的像素限定层，其中，像素限定层具有暴露第一电极的一部分的第一开口和设置在第二区域中的第二开口。像素还包括面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间并包括有机发射层的中间层。第一电容器沿与主表面垂直的方向与第二开口至少部分地叠置。

Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same

An organic light emitting diode (OLED) display and a method of manufacturing the same are disclosed. On the one hand, OLED display includes: a substrate having a main surface; pixels arranged above the main surface of the substrate, and the structure is the first area and the structure of display image into second regions of external light transmission limit. The pixel includes a first electrode is arranged in the first region and a pixel disposed at least in the first region defining layer, wherein the pixel defining layer has a first electrode exposed part of the first opening and is arranged in the second area of the second opening. The pixel also includes a second electrode facing the first electrode, and an intermediate layer disposed between the first electrode and the second electrode and includes an organic emitting layer. The first capacitor is superposed at least partially in a direction perpendicular to the main surface and the second opening.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制造方法本申请要求于2015年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0163973号韩国专利申请的权益，通过引用将该韩国专利申请的公开内容全部包含于此。
所描述的技术总体涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
技术介绍
OLED显示器包括许多OLED，所述许多OLED均包括空穴注入电极、电子注入电极以及位于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。从空穴注入电极注入的空穴与从电子注入电极注入的电子在有机发射层中结合，从而产生激子，当激子从激发态衰退到基态时，发光。每个OLED由像素电路驱动并且OLED的组合用于显示图像。由于OLED是自发射的，所以它不需要单独的光源。因此，OLED技术具有诸如宽视角、低功耗、薄轮廓、高对比度、短的响应时间的令人满意的特性。OLED显示器已经广泛用于从诸如MP3播放器和便携式终端的个人便携式装置到电视机(TV)等。在这样的OLED显示器中，正在研究能够使用户识别外部背景以及通过OLED显示器实现的显示图像的透明型。
技术实现思路
一个专利技术的方面涉及能够使用户识别外部背景以及由OLED显示器实现的图像的透明OLED显示器及其制造方法。另一方面为OLED显示器，所述OLED显示器包括：基底，包括主表面；像素，设置在基底的主表面的上方，并包括构造为显示图像的第一区域和外部光透射所经过的第二区域，其中，像素包括：第一晶体管，设置在第一区域中；第一电容器，设置在第二区域中，并包括第一下电极和面对第一下电极的第一上电极；第一电极，电连接到第一晶体管并设置在第一区域中；像素限定层，至少设置在第一区域中，并包括暴露第一电极的一部分的第一开口和与第二区域对应的第二开口；第二电极，面对第一电极；中间层，设置在第一电极与第二电极之间并包括有机发射层，其中，第一电容器的至少一部分沿与主表面垂直的方向与第二开口的至少一部分叠置。第一电容器的第一下电极可以包括多晶硅，第一电容器的第一上电极可以包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以包括具有在从约至约的范围内的厚度的氧化铟锡(ITO)。第一晶体管可以包括有源层和与有源层绝缘的栅电极。栅电极可以包括下栅电极和设置在下栅电极的上方的上栅电极。下栅电极的上表面和上栅电极的下表面彼此接触，下栅电极的上表面的宽度比上栅电极的下表面的宽度小。第一电容器的第一下电极与有源层设置在同一层处，第一电容器的第一上电极与下栅电极设置在同一层处。第一晶体管的栅电极电连接到第一电容器的第一上电极。OLED显示器还可以包括：源电极和漏电极，设置在栅电极的上方并电连接到有源层；栅极绝缘层，设置在有源层与栅电极之间；层间绝缘层，设置在栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；经由绝缘层，设置在层间绝缘层的上方以覆盖源电极和漏电极。OLED显示器还可以包括：第二电容器，设置在第一区域中并电连接到第一电容器。第二电容器可以包括与栅电极设置在同一层处的第二下电极以及与源电极和漏电极设置在同一层处的第二上电极。栅极绝缘层和层间绝缘层具有包括无机材料的单层结构或双层结构，其中，经由绝缘层具有包括有机材料的单层结构。层间绝缘层和经由绝缘层可以分别包括与第二区域对应的第三开口和第四开口，其中，第一上电极的至少一部分通过第二开口、第三开口和第四开口暴露。中间层可以包括设置在第一电极与有机发射层之间的第一公共层和设置在有机发射层与第二电极之间的第二公共层，其中，第一公共层和第二公共层从第一区域延伸到第一上电极的上表面。第二电极可以包括与第二区域对应的开口。第三开口的面积比第四开口的面积大，其中，经由绝缘层可以包括与第一上电极的上表面的一部分直接接触的区域。OLED显示器还可以包括：第二电容器，其中，第二电容器可以包括所述栅电极和面对第一晶体管的所述栅电极的第二上电极。第二开口的面积相对于像素的整个面积的比率在从约40％至约90％的范围内。第一电容器的与第二开口叠置的区域的面积相对于第二开口的面积的比率在从约3％至约9％的范围内。像素可以包括多个像素，所述多个像素包括沿第一方向设置的第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，其中，扫描线或数据线至少在第一像素与第二像素之间以及第三像素与第四像素之间沿与第一方向交叉的第二方向延伸。第二像素的第二区域和第三像素的第二区域沿第一方向彼此连接。第一像素至第四像素中的每个可以包括设置在第一区域中的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别发射红光、绿光和蓝光。另一方面是制造OLED显示器的方法，所述方法包括：准备包括构造为显示图像的第一区域和外部光透射所经过的第二区域的基底；分别在基底的第一区域和第二区域上形成第一半导体图案和第二半导体图案；在基底的上方形成第一绝缘材料以覆盖第一半导体图案和第二半导体图案；在第一绝缘材料的上方顺序地形成透明导电氧化物和第一导电材料；通过使用第一掩模使透明导电氧化物和第一导电材料图案化来形成面对第一半导体图案的至少一部分并包括下栅电极和上栅电极的第一晶体管的栅电极以及面对第二半导体图案并包括第一上电极和上导电层的导电图案；通过使用栅电极作为掩模使第一半导体图案掺杂有杂质来形成第一晶体管的有源层；去除导电图案的上导电层；通过使第二半导体图案掺杂有杂质来形成与第一上电极一起构成第一电容器的第一下电极；形成电连接到第一晶体管的有机发光器件。形成栅电极和导电图案的步骤可以包括：形成第一光致抗蚀剂以覆盖透明导电氧化物和第一导电材料；通过使用第一掩模来将光照射在第一光致抗蚀剂上；去除第一光致抗蚀剂的光照射到的区域；通过使用第一蚀刻溶液来蚀刻第一导电材料；通过使用第二蚀刻溶液来蚀刻透明导电氧化物。形成透明导电氧化物的步骤可以包括：形成具有在从约至约的范围内的厚度的透明导电氧化物。形成有机发光器件的步骤可以包括：形成电连接到第一晶体管的第一电极；形成覆盖第一电极的绝缘材料；通过使绝缘材料图案化来形成包括暴露第一电极的第一开口和暴露第一上电极的第二开口的像素限定层；在暴露的第一电极的上方形成包括有机发射层的中间层；在中间层的上方形成第二电极。所述方法还可以包括：在形成有源层之后，在第一绝缘材料的上方形成第二绝缘材料以覆盖栅电极和导电图案；通过使用第二掩模使第一绝缘材料和第二绝缘材料图案化来形成栅极绝缘层和层间绝缘层，其中，第二掩模为包括与第一电容器的外围区域对应的半透明部分的半色调掩模。所述方法还可以包括：在栅极绝缘层和层间绝缘层的上方形成第二导电材料；通过使第二导电材料图案化来形成第一晶体管的源电极和漏电极，其中，同时执行使第二导电材料图案化的步骤和去除导电图案的上导电层的步骤。所述方法还可以包括：在形成有机发光器件之前，在层间绝缘层的上方形成经由绝缘层以覆盖源电极和漏电极，并且使经由绝缘层包括暴露第一上电极的一部分的第三开口。另一方面是有机发光二极管(OLED)显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底，具有主表面；像素，设置在基底的主表面的上方，并由构造为显示图像的第一区域和构造为透射外部光的第二区域限定，其中，像素包括：第一晶体管，设置在第一区域中；第一电容器，设置在第二区域中并包括第一下电极和面对第一下电极的第一上电极；第一电极，电连接到第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底，具有主表面；以及像素，设置在所述基底的所述主表面的上方，并由构造为显示图像的第一区域和构造为透射外部光的第二区域限定，其中，所述像素包括：第一晶体管，设置在所述第一区域中；第一电容器，设置在所述第二区域中，并包括第一下电极和面对所述第一下电极的第一上电极；第一电极，电连接到所述第一晶体管并设置在所述第一区域中；像素限定层，至少设置在所述第一区域中，其中，所述像素限定层具有暴露所述第一电极的一部分的第一开口和设置在所述第二区域中的第二开口；第二电极，与所述第一电极相对；以及中间层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并包括有机发射层，其中，所述第一电容器沿与所述主表面垂直的方向与所述第二开口至少部分地叠置。

【技术特征摘要】
2015.11.23 KR 10-2015-01639731.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：基底，具有主表面；以及像素，设置在所述基底的所述主表面的上方，并由构造为显示图像的第一区域和构造为透射外部光的第二区域限定，其中，所述像素包括：第一晶体管，设置在所述第一区域中；第一电容器，设置在所述第二区域中，并包括第一下电极和面对所述第一下电极的第一上电极；第一电极，电连接到所述第一晶体管并设置在所述第一区域中；像素限定层，至少设置在所述第一区域中，其中，所述像素限定层具有暴露所述第一电极的一部分的第一开口和设置在所述第二区域中的第二开口；第二电极，与所述第一电极相对；以及中间层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并包括有机发射层，其中，所述第一电容器沿与所述主表面垂直的方向与所述第二开口至少部分地叠置。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电容器的所述第一下电极包括多晶硅，其中，所述第一上电极包括透明导电氧化物。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述透明导电氧化物包括具有在从至的范围内的厚度的氧化铟锡。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一晶体管包括有源层和与所述有源层绝缘的栅电极。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述栅电极包括下栅电极和设置在所述下栅电极的上方的上栅电极。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述下栅电极的上表面和所述上栅电极的下表面彼此接触，其中，所述下栅电极的所述上表面具有比所述上栅电极的所述下表面的宽度小的宽度。7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一电容器的所述第一下电极与所述有源层设置在同一层上，其中，所述第一上电极与所述下栅电极设置在同一层上。8.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一晶体管的所述栅电极电连接到所述第一上电极。9.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：源电极和漏电极，设置在所述栅电极的上方并电连接到所述有源层；栅极绝缘层，设置在所述有源层与所述栅电极之间；层间绝缘层，设置在所述栅电极与所述源电极之间以及所述栅电极与所述漏电极之间；以及经由绝缘层，设置在所述层间绝缘层的上方以覆盖所述源电极和所述漏电极。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：第二电容器，设置在所述第一区域中并电连接到所述第一电容器。11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电容器包括与所述栅电极设置在同一层上的第二下电极以及与所述源电极和所述漏电极设置在同一层上的第二上电极。12.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层具有包括无机材料的单层结构或双层结构，其中，所述经由绝缘层具有包括有机材料的单层结构。13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中，所述层间绝缘层和所述经由绝缘层分别具有设置在所述第二区域中的第三开口和第四开口，其中，所述第一上电极的至少一部分通过所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口暴露。14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，所述中间层包括设置在所述第一电极与所述有机发射层之间的第一公共层和设置在所述有机发射层与所述第二电极之间的第二公共层，其中，所述第一公共层和所述第二公共层从所述第一区域延伸到所述第一上电极的上表面。15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二电极具有设置在所述第二区域中的开口。16.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三开口的面积比所述第四开口的面积大，其中，所述经由绝缘层包括与所述第一上电极的上表面的一部分直接接触的区域。17.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：第二电容器，其中，所述第二电容器包括所述栅电极和面对...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大宇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR