一种发光二极管的外延片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上依次生长成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层、石墨烯层、ZnO纳米锥层和银纳米颗粒层，石墨烯层生长在p型GaN层上，ZnO纳米锥层生长在石墨烯层上，银纳米颗粒层生长在ZnO纳米锥层上，石墨烯具有很高的光透性，可以降低对光的吸收，ZnO纳米锥层的几何形状可减少全反射，提高出光率，通过在ZnO纳米锥层表面设置银纳米颗粒层，在ZnO纳米锥层和银纳米颗粒层之间产生表面等离激元，表面等离激元与LED发出的光产生共振，从而提高发光效率，使LED的亮度得到提高。

Epitaxial slice of light-emitting diode and preparation method thereof

The invention discloses an epitaxial slice of a light-emitting diode and a preparation method thereof, belonging to the field of optoelectronic manufacturing technology. The preparation method comprises providing a substrate, on the substrate in turn growth nucleation layer, undoped GaN layer, n GaN layer, a multi quantum well layer, GaN layer, p layer, ZnO nanotapers graphene layer and silver nanoparticles layer graphene layer growth in the P type GaN layer, ZnO nano cone layer growth in graphene layer on silver nanoparticles layer grown on ZnO nano cone layer, graphene has high light permeability, can reduce the absorption of light, ZnO nanotapers layer geometry can reduce the total reflection, improve the light extraction efficiency, through the ZnO nanotapers layer arranged on the surface of the silver nanoparticle layer, surface plasmons are generated between ZnO nanotapers layer and silver nanoparticles, surface plasmon resonance and light emitted by the LED, to improve the luminous efficiency, so that the brightness of LED is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片及制备方法
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及制备方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。现有的LED主要包括衬底、成核层、未掺杂GaN层、n型层、多量子阱层、p型层和导电层。目前在制作外延片时，导电层通常采用ITO(Indiumtinoxide，氧化铟锡)制成，导电层需要有足够的厚度以降低横向电阻，利于电流在导电层内的横向扩展，但是随着厚度的增加，其透光性会下降，从而导致LED的亮度降低。
技术实现思路
为了提高LED的亮度，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长成核层；在所述成核层上生长未掺杂GaN层；在所述未掺杂GaN层上生长n型GaN层；在所述n型GaN层上生长多量子阱层；在所述多量子阱层上生长p型GaN层；在所述p型GaN层上生长石墨烯层；在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长成核层；在所述成核层上生长未掺杂GaN层；在所述未掺杂GaN层上生长n型GaN层；在所述n型GaN层上生长多量子阱层；在所述多量子阱层上生长p型GaN层；在所述p型GaN层上生长石墨烯层；在所述石墨烯层上生长ZnO纳米锥层；在所述ZnO纳米锥层上生长银纳米颗粒层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长成核层；在所述成核层上生长未掺杂GaN层；在所述未掺杂GaN层上生长n型GaN层；在所述n型GaN层上生长多量子阱层；在所述多量子阱层上生长p型GaN层；在所述p型GaN层上生长石墨烯层；在所述石墨烯层上生长ZnO纳米锥层；在所述ZnO纳米锥层上生长银纳米颗粒层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述p型GaN层上生长石墨烯层，包括：采用化学气相沉积法在金属基板上制备石墨烯薄膜；将所述石墨烯薄膜转移至所述p型GaN层上，形成所述石墨烯层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述石墨烯薄膜转移至所述p型GaN层上，形成所述石墨烯层，包括：在所述石墨烯薄膜上涂覆第一层聚甲基丙烯酸甲酯；腐蚀所述金属基板，将所述石墨烯薄膜与所述金属基板分离；通过所述第一层聚甲基丙烯酸甲酯将所述石墨烯薄膜转移至所述p型GaN层上，其中，所述石墨烯薄膜位于所述第一层聚甲基丙烯酸甲酯和所述p型GaN层之间；在所述第一层聚甲基丙烯酸甲酯上涂覆第二层聚甲基丙烯酸甲酯，将石墨烯薄膜紧密贴合在所述p型GaN层；加热所述第一层聚甲基丙烯酸甲酯和所述第二层聚甲基丙烯酸甲酯，将所述第一层聚甲基丙烯酸甲酯与所述第二层聚甲基丙烯酸甲酯紧密黏合在一起；去除所述第二层聚甲基丙烯酸甲酯和所述第一层聚甲基丙烯酸甲酯。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述石墨烯层上生长ZnO纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁涛，郭炳磊，葛永晖，吕蒙普，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33