改善光效的发光二极管制造技术

技术编号:42407729 阅读:46 留言:0更新日期:2024-08-16 16:27
本公开提供了一种改善光效的发光二极管,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:外延层、绝缘层和第一金属反射层,所述绝缘层位于所述外延层的表面上;所述绝缘层的远离所述外延层的表面具有多个间隔排布的增反结构,所述增反结构包括凹孔和凸起中的至少一种,所述第一金属反射层层叠在所述绝缘层上,所述第一金属反射层的靠近所述绝缘层的表面与所述增反结构的表面贴合。本公开实施例能提升金属反射层的反光面积,提升发光二极管的发光效果。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电子制造,特别涉及一种改善光效的发光二极管


技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode,简称:led)作为光电子产业中极具影响力的新产品,具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点,广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

2、相关技术中,发光二极管包括:外延层、绝缘层、金属反射层和电极。外延层、绝缘层和金属反射层依次层叠,电极位于金属反射层的表面。对于倒装发光二极管,外延层的远离电极的一侧为出光侧,外延层发出的光线会经金属反射层反射回出光侧,以提升亮度。

3、然而,金属反射层对外延层的覆盖范围有限,导致金属反射层的反光面积较小,不利于提升发光二极管的发光效果。


技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种改善光效的发光二极管,能提升金属反射层的反光面积,提升发光二极管的发光效果。所述技术方案如下:

2、一方面,本公开实施例提供了一种发光二极管,所述发光二极管包括:外延层、绝缘层和第一金属反射层,所述绝缘层位于所述外延层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:外延层(20)、绝缘层(30)和第一金属反射层(41),所述绝缘层(30)位于所述外延层(20)的表面上;

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,至少部分所述增反结构(31)在所述外延层(20)的表面上的正投影位于所述第一金属反射层(41)在所述外延层(20)的表面上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述增反结构(31)包括凹孔,所述凹孔在垂直于所述外延层(20)的方向上的截面为梯形,所述凹孔中尺寸较小的一端靠近所述外延层(20)。

4.根据权利要求3所述的发光二...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:外延层(20)、绝缘层(30)和第一金属反射层(41),所述绝缘层(30)位于所述外延层(20)的表面上;

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,至少部分所述增反结构(31)在所述外延层(20)的表面上的正投影位于所述第一金属反射层(41)在所述外延层(20)的表面上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述增反结构(31)包括凹孔,所述凹孔在垂直于所述外延层(20)的方向上的截面为梯形,所述凹孔中尺寸较小的一端靠近所述外延层(20)。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述凹孔的孔壁与所述凹孔的底面的夹角小于或者等于30°。

5.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述凹孔的深度与所述绝缘层(30)的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员:王佳崔伟豪魏柏林游云梦刘战祥田宇航徐义兰
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司
类型:发明
国别省市:

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