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本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上依次生长成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层、石墨烯层、ZnO纳米锥层和银纳米颗粒层，石墨烯层生长在p型GaN...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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