具有多个发光单元的发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种具有多个发光单元的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括覆盖发光单元之间的区域的反射金属层，该反射金属层布置于将相邻的发光单元电连接的连接部之间，并与凸起垫电绝缘。并与凸起垫电绝缘。并与凸起垫电绝缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多个发光单元的发光二极管


[0001]本专利技术涉及一种发光二极管，更详细而言，涉及一种具有多个发光单元的发光二极管。

技术介绍

[0002]通常，诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物热稳定性良好且具有直接跃迁型的能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色发光二极管及绿色发光二极管应用于大规模天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、汽车前照灯、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。
[0003]通常，发光二极管经过封装工序而以封装形态使用。然而，最近对于发光二极管正在进行关于在芯片级别执行封装工序的芯片级(chip scale)封装形态的发光二极管的研究。由于这种发光二极管的尺寸小于一般的封装件，并且无需单独执行封装工序，因此能够进一步简化工艺，从而能够节约时间及费用。芯片级封装形态的发光二极管大致可以具有倒装芯片形状的电极结构，并且可以利用凸起垫进行散热，因此散热特性良好。尤其，倒装芯片形状的电极结构通过利用反射金属层来反射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，包括：发光单元，所述发光单元中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，并沿行列排列；欧姆反射层，与各个发光单元的第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖所述发光单元及所述欧姆反射层，并且具有使各个发光单元的第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；连接部，布置于所述下部绝缘层上，用于将相邻的发光单元电串联来形成发光单元的串联阵列；第一垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，通过所述下部绝缘层的开口部而与布置于所述串联阵列的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；第三垫金属层，布置于所述下部绝缘层上，并与所述连接部、所述第一垫金属层及所述第二垫金属层隔开；上部绝缘层，覆盖所述连接部及所述第一垫金属层、所述第二垫金属层、所述第三垫金属层，并且具有分别使所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；以及第一凸起垫及第二凸起垫，分别连接于借由所述上部绝缘层的开口部暴露的所述第一垫金属层及第二垫金属层的上表面，其中，所述第三垫金属层分别覆盖相邻的发光单元之间的单元分离区域，并且位于将相邻的发光单元电连接的连接部之间。2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第三垫金属层从所述第一凸起垫及所述第二凸起垫沿横向方向隔开而不与所述第一凸起垫及所述第二凸起垫重叠。3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第三垫金属层与所述相邻的发光单元上部的欧姆反射层部分重叠。4.如权利要求2所述的发光二极管，还包括：第三凸起垫，分别布置于除了所述第一发光单元及所述最后一个发光单元之外的其他发光单元上。5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第三垫金属层从所述第三凸起垫沿横向方向隔开而不与所述第三凸起垫重叠。6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第三垫金属层分别经一个行内的所有发光单元而布置，所述第三凸起垫分别与所述第三垫金属层中的一个重叠。7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，所述第三凸起垫连接于所述第三垫金属层。8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第三垫金属层分别经一个行内的所有发光单元而布置，所述第一凸起垫及第二凸起垫分别经一个行内的所有发光单元而布置。9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，
所述第一凸起垫及所述第二凸起垫分别与所述第三垫金属层重叠，在所述最后一个发光单元上...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴世熙，林完泰，禹尚沅，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：