【技术实现步骤摘要】
一种Micro
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LED元件的转移方法
[0001]本专利技术涉及微发光二极管显示制造领域，具体涉及一种Micro
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LED元件的转移方法。
技术介绍
[0002]在现有的微发光二极管显示器的制造过程中，在微发光二极管芯片制作完成后，需要通过巨量转移技术将微发光二极管芯片转移到驱动电路背板上。目前微发光二极管芯片的巨量转移技术主要有拾取释放法、激光转移技术、流体自组装技术和滚轮转印技术。而在现有的利用可加热软化的树脂材料作为转移基板时，在将微发光二极管芯片设置在树脂转移基板上时，在通过加热处理固定微发光二极管芯片时容易造成相邻微发光二极管芯片的间距不同，进而在后续转移至驱动基板过程过程中，容易导致转移良率降低。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种Micro
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LED元件的转移方法。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的一种Micro
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LED元件的转移方法，包括：提供一生长衬底，所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro
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LED元件的转移方法，其特征在于：包括：提供一生长衬底，所述生长衬底包括第一表面和第二表面，在所述生长衬底的第一表面上外延生长一外延层；对所述外延层进行图案化处理，以形成多个呈阵列排布的外延单元；提供第一转移基板，将所述生长衬底设置在所述第一转移基板上，使得所述外延单元朝向所述第一转移基板；对所述生长衬底的第二表面进行第一刻蚀处理，以在所述生长衬底的第二表面形成多个环形凹槽，每个所述外延单元在所述生长衬底上的垂直投影位于相应的一个环形凹槽所围绕的区域内；提供第二转移基板，将所述第二转移基板贴设在所述生长衬底的第二表面上，对所述第二转移基板进行热处理，使得所述第二转移基板的一部分软化流动而填充所述多个环形凹槽，接着冷却所述第二转移基板，接着去除所述第一转移基板；对所述生长衬底的第一表面进行第二刻蚀处理，以形成多个分离设置的Micro
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LED单元；提供一驱动基板，接着将多个分离设置的Micro
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LED单元转移至所述驱动基板；去除所述第二转移基板，形成一封装层，所述封装层包裹每个所述Micro
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LED单元；形成与每个所述Micro
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LED单元均电连接的公共电极。2.根据权利要求1所述的Micro
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LED元件的转移方法，其特征在于：所述外延层包括依次生长的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层以及透明导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李雍，陈文娟，瞿澄，王怀厅，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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