本发明专利技术涉及一种Micro
【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
LED元件的转移方法
[0001]本专利技术涉及微发光二极管显示制造领域,具体涉及一种Micro
‑
LED元件的转移方法。
技术介绍
[0002]在现有的微发光二极管显示器的制造过程中,在微发光二极管芯片制作完成后,需要通过巨量转移技术将微发光二极管芯片转移到驱动电路背板上。目前微发光二极管芯片的巨量转移技术主要有拾取释放法、激光转移技术、流体自组装技术和滚轮转印技术。而在现有的利用可加热软化的树脂材料作为转移基板时,在将微发光二极管芯片设置在树脂转移基板上时,在通过加热处理固定微发光二极管芯片时容易造成相邻微发光二极管芯片的间距不同,进而在后续转移至驱动基板过程过程中,容易导致转移良率降低。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种Micro
‑
LED元件的转移方法。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提出的一种Micro
‑
LED元件的转移方法,包括:提供一生长衬底,所述生长衬底包括第一表面和第二表面,在所述生长衬底的第一表面上外延生长一外延层。
[0005]对所述外延层进行图案化处理,以形成多个呈阵列排布的外延单元。
[0006]提供第一转移基板,将所述生长衬底设置在所述第一转移基板上,使得所述外延单元朝向所述第一转移基板。
[0007]对所述生长衬底的第二表面进行第一刻蚀处理,以在所述生长衬底的第二表面形成多个环形凹槽,每个所述外延单元在所述生长衬底上的垂直投影位于相应的一个环形凹槽所围绕的区域内。
[0008]提供第二转移基板,将所述第二转移基板贴设在所述生长衬底的第二表面上,对所述第二转移基板进行热处理,使得所述第二转移基板的一部分软化流动而填充所述多个环形凹槽,接着冷却所述第二转移基板,接着去除所述第一转移基板。
[0009]对所述生长衬底的第一表面进行第二刻蚀处理,以形成多个分离设置的Micro
‑
LED单元。
[0010]提供一驱动基板,接着将多个分离设置的Micro
‑
LED单元转移至所述驱动基板。
[0011]去除所述第二转移基板,形成一封装层,所述封装层包裹每个所述Micro
‑
LED单元。
[0012]形成与每个所述Micro
‑
LED单元均电连接的公共电极。
[0013]作为优选的技术方案,所述外延层包括依次生长的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层以及透明导电层。
[0014]作为优选的技术方案,将所述生长衬底设置在所述第一转移基板上之前,在所述第一转移基板上设置缓冲粘结层,进而将所述生长衬底设置在所述第一转移基板上时,使
得所述外延单元的一部分嵌入到所述缓冲粘结层中。
[0015]作为优选的技术方案,所述第一刻蚀处理为湿法刻蚀或干法刻蚀,所述环形凹槽的深度与所述生长衬底的厚度的比值为0.5
‑
0.7。
[0016]作为优选的技术方案,所述第二刻蚀处理为激光刻蚀。
[0017]作为优选的技术方案,对所述生长衬底的第一表面进行第二刻蚀处理之前,在每个所述外延单元上形成一第一金属电极。
[0018]作为优选的技术方案,形成所述封装层之后,在每个所述Micro
‑
LED单元的生长衬底中形成暴露相应外延单元的通孔。
[0019]作为优选的技术方案,形成所述公共电极之前,在每个所述通孔中填充导电材料以形成导电柱,进而使得所述公共电极通过所述导电柱与所述Micro
‑
LED单元电连接。
[0020]本专利技术的有益效果在于:在本专利技术的Micro
‑
LED元件的转移方法中,在将具有外延单元的生长衬底与第二转移基板接合之前,先对所述生长衬底的第二表面进行第一刻蚀处理,以在所述生长衬底的第二表面形成多个环形凹槽,并优化所述环形凹槽的深度与所述生长衬底的厚度的比值为0.5
‑
0.7,然后再将所述第二转移基板贴设在所述生长衬底的第二表面上,对所述第二转移基板进行热处理,使得所述第二转移基板的一部分软化流动而填充所述多个环形凹槽,接着冷却所述第二转移基板,以固定所述生长衬底,通过上述设置方式,一方面可以增加所述生长衬底与所述第二转移基板的接合稳固性,另一方面则是可以确保相邻外延单元之间的间距不会因为与所述第二转移基板接合而发生变化,进而不会导致转移良率降低。
附图说明
[0021]图1显示为本专利技术实施例中在生长衬底上形成多个呈阵列排布的外延单元的结构示意图。
[0022]图2显示为本专利技术实施例中将生长衬底设置在第一转移基板上的结构示意图。
[0023]图3显示为本专利技术实施例中在生长衬底的第二表面形成多个环形凹槽的结构示意图。
[0024]图4显示为本专利技术实施例中在生长衬底的第二表面设置第二转移基板的结构示意图。
[0025]图5显示为本专利技术实施例中形成多个分离设置的Micro
‑
LED单元的结构示意图。
[0026]图6显示为本专利技术实施例中将多个分离设置的Micro
‑
LED单元转移至驱动基板的结构示意图。
[0027]图7显示为本专利技术实施例中在驱动基板上形成封装层和公共电极的结构示意图。
具体实施方式
[0028]为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0029]如图1~图7所示,本实施例提供Micro
‑
LED元件的转移方法,包括:
如图1所示,提供一生长衬底100,所述生长衬底包括第一表面101和第二表面102,在所述生长衬底100的第一表面101上外延生长一外延层。
[0030]在具体的实施例中,所述外延层包括依次生长的N型半导体层201、量子阱层202、P型半导体层203以及透明导电层204。
[0031]在具体的实施例中,所述生长衬底100可以具体为Si基板、SiC基板、蓝宝石基板以及GaN基板中的一种。在外延生长外延层之前,可选择的,首先在所述生长衬底100的第一表面101生长缓冲层(未图示),然后再生长外延层,提高晶格匹配度,进而提高外延层的质量,在更具体的实施例中,所述N型半导体层201和所述P型半导体层203可以具体为氮化镓、氮化铝镓、砷化镓、砷化铝镓、磷化镓中的一种,所述透明导电层204可以具体为ITO层。
[0032]如图1所示,对所述外延层进行图案化处理,以形成多个呈阵列排布的外延单元200。
[0033]在具体的实施例中,通过湿法刻蚀工艺或激光刻蚀工艺进行所述图案化处理,在更具体的实施例中,通过上述图案化处理本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED元件的转移方法,其特征在于:包括:提供一生长衬底,所述生长衬底包括第一表面和第二表面,在所述生长衬底的第一表面上外延生长一外延层;对所述外延层进行图案化处理,以形成多个呈阵列排布的外延单元;提供第一转移基板,将所述生长衬底设置在所述第一转移基板上,使得所述外延单元朝向所述第一转移基板;对所述生长衬底的第二表面进行第一刻蚀处理,以在所述生长衬底的第二表面形成多个环形凹槽,每个所述外延单元在所述生长衬底上的垂直投影位于相应的一个环形凹槽所围绕的区域内;提供第二转移基板,将所述第二转移基板贴设在所述生长衬底的第二表面上,对所述第二转移基板进行热处理,使得所述第二转移基板的一部分软化流动而填充所述多个环形凹槽,接着冷却所述第二转移基板,接着去除所述第一转移基板;对所述生长衬底的第一表面进行第二刻蚀处理,以形成多个分离设置的Micro
‑
LED单元;提供一驱动基板,接着将多个分离设置的Micro
‑
LED单元转移至所述驱动基板;去除所述第二转移基板,形成一封装层,所述封装层包裹每个所述Micro
‑
LED单元;形成与每个所述Micro
‑
LED单元均电连接的公共电极。2.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED元件的转移方法,其特征在于:所述外延层包括依次生长的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层以及透明导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员:李雍,陈文娟,瞿澄,王怀厅,
申请(专利权)人:罗化芯显示科技开发江苏有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。