圆片减薄的方法、治具及上蜡装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种圆片减薄的方法、治具及上蜡装置。该方法包括：将半导体衬底圆片与衬底片键合在一起作为待减薄圆片；将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上，将蜡滴在陶瓷盘上的圆片位置，将待减薄圆片放置在蜡的上方；将外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具同心放置在待减薄圆片上，将压片装置下压进行待减薄圆片的平整，取出待减薄圆片上放置的治具，对陶瓷盘上的待减薄圆片进行减薄工艺。通过在需要减薄的圆片上同心放置外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具，将上蜡装置的压片装置下压进行待减薄圆片的平整，对键合后的圆片进行蓝宝石雾面减薄后可以得到均匀性较好的减薄圆片，实现了对键合圆片的均匀减薄，提高了圆片的良品率，降低了生产成本。

Method, fixture and waxing device of wafer thinning

【技术实现步骤摘要】
圆片减薄的方法、治具及上蜡装置
本专利技术涉及光电
，特别是涉及一种圆片减薄的方法、一种上蜡装置及一种治具。
技术介绍
典型的光电二极管(LightEmittingDiode,LED)垂直产品进行厚片键合即将蓝宝石圆片和硅晶圆通过高温集合在一起后，需要通过减薄工艺去除蓝宝石圆片面的雾面，露出里面透明的蓝宝石，技术人员发现在进行蓝宝石圆片雾面减薄时无法对键合后的圆片进行均匀减薄，减薄后圆片的均匀性很差。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述无法对键合后的圆片进行均匀减薄的问题，提供一种新的圆片减薄的方法、一种治具及一种上蜡装置。一种圆片减薄的方法，所述方法包括：将半导体衬底圆片的一面与形成有电致发光结构的衬底片的发光结构面贴合在一起并进行热处理，从而将所述半导体衬底圆片与所述衬底片键合在一起作为待减薄圆片；将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上；将蜡滴在所述陶瓷盘上的圆片位置；将所述待减薄圆片放置在所述蜡的上方，所述待减薄圆片的半导体衬底圆片面与所述蜡接触；将治具放置在所述待减薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种圆片减薄的方法，其特征在于，所述方法包括：/n将半导体衬底圆片的一面与形成有电致发光结构的衬底片的发光结构面贴合在一起并进行热处理，从而将所述半导体衬底圆片与所述衬底片键合在一起作为待减薄圆片；/n将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上；/n将蜡滴在所述陶瓷盘上的圆片位置；/n将所述待减薄圆片放置在所述蜡的上方，所述待减薄圆片的半导体衬底圆片面与所述蜡接触；/n将治具放置在所述待减薄圆片上，所述治具与所述待减薄圆片同心放置，所述治具为圆环治具，且所述治具的外径小于所述待减薄圆片的直径；/n将所述上蜡装置的压片装置下压进行所述待减薄圆片的平整；/n将所述上蜡装置的压片装置上升，取出所述待减薄圆...

【技术特征摘要】
1.一种圆片减薄的方法，其特征在于，所述方法包括：
将半导体衬底圆片的一面与形成有电致发光结构的衬底片的发光结构面贴合在一起并进行热处理，从而将所述半导体衬底圆片与所述衬底片键合在一起作为待减薄圆片；
将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上；
将蜡滴在所述陶瓷盘上的圆片位置；
将所述待减薄圆片放置在所述蜡的上方，所述待减薄圆片的半导体衬底圆片面与所述蜡接触；
将治具放置在所述待减薄圆片上，所述治具与所述待减薄圆片同心放置，所述治具为圆环治具，且所述治具的外径小于所述待减薄圆片的直径；
将所述上蜡装置的压片装置下压进行所述待减薄圆片的平整；
将所述上蜡装置的压片装置上升，取出所述待减薄圆片上放置的治具；
对所述陶瓷盘上的待减薄圆片进行减薄工艺。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述上蜡装置的压片装置上升之前还包括：
进行所述陶瓷盘的冷却；
实时检测所述陶瓷盘的温度，直至所述温度小于等于30摄氏度再将所述上蜡装置的压片装置上升。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述陶瓷盘上的待减薄圆片进行减薄工艺是用于减薄形成发光二极管垂直圆片，所述对所述陶瓷盘上的圆片进行减薄工艺包括：
使用减薄砂轮对所述陶瓷盘上的产品进行减薄工艺。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷盘上的待减薄圆片之间的厚度差小于20微米。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底圆片是...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹庆龙，张海旭，王亚洲，林肖，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31