晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆的粗糙处理方法，涉及半导体工艺领域，该粗糙处理方法包括步骤：将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。本发明专利技术实施例还提供了晶圆的粗糙处理装置和存储介质，能有效提高处理后的晶圆的背面粗糙度，从而提高蒸镀金属的稳定性。

Rough processing method, device and storage medium of wafer

【技术实现步骤摘要】
晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质。
技术介绍
在微电子学中，某些操作，需要结合的表面尽可能的光滑，但是某些元器件则需要制造出彼此相对但不互相粘合的表面，从而防止该半导体在所对应的物体表面上不适当的结合并且能够保持其滑动性。现有技术中，晶圆背面的粗糙处理所使用的化学蚀刻剂通常采用硝酸(HNO3)及氢氟酸(HF)的水溶液，按照一定比例配取溶液作为化学蚀刻剂，以提供背面金属粘着性较好的去光泽及粗糙化表面。在实施本专利技术的过程中，专利技术人发现，现有技术的化学蚀刻剂效果并不理想，经实验发现其获得的晶圆背面粗糙度不能达到有效的范围，对于后续的晶圆背面金属工艺造成一定的影响。晶圆背面在经过化学蚀刻处理之后，往往还存在晶圆背面粗糙度不够的问题，再蒸镀金属时，容易会由于黏结力不够而造成背面金属剥离。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质，能有效提高处理后的晶圆的背面粗糙度，从而提高蒸镀金属的稳定性。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，包括：将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。作为上述方案的改进，所述真空环境的真空度为1.0至2.5Pa。作为上述方案的改进，所述混合气体中的所述惰性气体包括氩气、氖气、氪气和氙气中的一种或多种。作为上述方案的改进，所述碳氢化合物气体包括甲烷、乙烯、乙炔和苯中的一种或多种。作为上述方案的改进，所述混合气体为氩气与乙烯的混合气体，其中乙烯的含量为20％。作为上述方案的改进，其特征在于，所述离子束的流动速度为10sccm；所述离子束的能量为300eV；所述离子束的流强为250mA。作为上述方案的改进，其特征在于，在所述蚀刻中，所述离子束的入射角为45至60度，所述蚀刻时间为100至120秒。本专利技术实施例还提供了一种晶圆的粗糙处理装置，包括：真空控制模块，用于将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；气体导入模块，用于向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；离子化模块，用于对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；蚀刻模块，用于控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。本专利技术实施例还提供了一种晶圆的粗糙处理装置，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上任意一项所述的粗糙处理方法。本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如上任意一项所述的粗糙处理方法。与现有技术相比，本专利技术公开的一种晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质，通过在真空环境中，对包括惰性气体和碳氢化合物气体的混合气体进行离子化，以得到离子束，在真空环境下采用所述离子束，对待处理晶圆的背面进行蚀刻，从而得到背面粗糙化的已处理晶圆。由于采用离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，解决了现有技术中化学蚀刻难以控制的技术问题，实现了对所述待处理晶圆背面粗糙度的精细化控制，能有效提高所述已处理晶圆的背面粗糙度，从而提高蒸镀金属的稳定性。附图说明图1是本专利技术实施例1中一种晶圆的粗糙处理方法的流程示意图。图2是本专利技术实施例2中一种晶圆的粗糙处理方法的流程示意图。图3是本专利技术实施例3中一种晶圆的粗糙处理装置的结构示意图。图4是本专利技术实施例4中一种晶圆的粗糙处理装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例1提供了一种晶圆的粗糙处理方法。参见图1，是实施例1提供的一种晶圆的粗糙处理方法的流程示意图，该粗糙处理方法包括步骤S110至步骤S140。S110、将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境。所述待处理晶圆可以是经过预清洗的晶圆。例如，可以是在晶圆通入惰性气体氩气进行离子蚀刻之后，通过预清洗清除表面污染，以清楚该晶圆的表面残留物，从而得到所述待处理晶圆。在实际操作中，可以是将所述待处理晶圆移动到处理室中，也可以是将所述待处理晶圆所在的环境抽成真空环境，均不影响本专利技术可取得的有益效果。优选地，所述真空环境的真空度为1.0至2.5Pa，以避免在对所述待处理晶圆进行粗糙处理的过程中，受到环境中杂质的干扰，从而确保对所述待处理晶圆进行有效的粗糙处理。S120、向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体。优选地，所述混合气体中，所述惰性气体包括氩气、氖气、氪气和氙气中的一种或多种；所述碳氢化合物气体包括甲烷、乙烯、乙炔和苯中的一种或多种。可以理解地，所述惰性气体和所述碳氢化合物气体不限于上述内容，还可以是其他的惰性气体或是碳氢化合物气体，以进行后续的离子化和蚀刻步骤，均不影响本专利技术可取得的有益效果。更优选地，所述混合气体可以是氩气与乙烯的混合气体，其中乙烯的含量为20％。在实际处理中，所述混合气体的成分和比例不限于上述举例，可以是根据蚀刻所需的实际需要进行调整，例如对成分进行调整或是对比例进行调整等，均不影响本专利技术可取得的有益效果。S130、对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束。优选地，可以是通过控制所述离子化，以使得到的所述离子束的流动速度为10sccm(standardcubiccentimeter，标准立方厘米)；所述离子束的能量为300eV(Electron-Volt，电子伏特)；所述离子束的流强为250mA。可以理解地，对所述离子束的流动速度、能量和流强等参数限定仅作为举例，在实际情况下，所述离子束的参数可以根据实际需要进行调整，不影响本专利技术可取得的有益效果。S140、控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。将所述待处理晶圆的背面暴露在所述离子束中，通过控制所述离子束，对所述待处理晶圆的背面进行所述蚀刻。优选地，在所述蚀刻中，所述离子束的入射角为45至60度，所述蚀刻时间为100至120秒。可以理解地，所述入射角和所述蚀刻时间不局限于上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，包括：/n将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；/n向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；/n对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；/n控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，包括：
将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；
向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；
对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；
控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。


2.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述真空环境的真空度为1.0至2.5Pa。


3.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述混合气体中的所述惰性气体包括氩气、氖气、氪气和氙气中的一种或多种。


4.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述碳氢化合物气体包括甲烷、乙烯、乙炔和苯中的一种或多种。


5.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述混合气体为氩气与乙烯的混合气体，其中乙烯的含量为20％。


6.如权利要求1至5任一项所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述离子束的流动速度为10sccm；所述离子束的能量为300eV；所述离子束的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄德权，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44