一种FinFET制造方法技术

本发明专利技术提供了一种FinFET制造方法，包括：一种FinFET制造方法，包括：a.提供第一衬底(100)；b.在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)；c.在所述衬底(100)上形成第二衬底(130)；d.对所述第一衬底(100)和第二衬底(130)进行刻蚀，形成鳍片(200)；e.在所述鳍片(200)两侧的衬底上形成浅沟槽隔离结构(300)；f.在所述鳍片(200)两端的部分分别形成源区、漏区，在所述鳍片中部的沟道区上方形成栅极结构(500)。相比于现有技术，本发明专利技术在降低了沟道穿通效应影响的同时，有效地减小了工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件制造方法，具体地，涉及。技术背景随着半导体器件的尺寸按比例缩小，出现了阈值电压随沟道长度减小而下降的问题，也即，在半导体器件中产生了短沟道效应。为了应对来自半导体涉及和制造方面的挑战，导致了鳍片场效应晶体管，即FinFET的发展。沟道穿通效应(Channel punch-through effect)是场效应晶体管的源结与漏结的耗尽区相连通的一种现象。当沟道穿通，就使源/漏间的势垒显著降低，则从源往沟道即注入大量载流子，并漂移通过源-漏间的空间电荷区、形成一股很大的电流；此电流的大小将受到空间电荷的限制，是所谓空间电荷限制电流。这种空间电荷限制电流是与栅压控制的沟道电流相并联的，因此沟道穿通将使得通过器件的总电流大大增加；并且在沟道穿通情况下，即使栅电压低于阈值电压，源-漏间也会有电流通过。这种效应是在小尺寸场效应晶体管中有可能发生的一种效应，且随着沟道宽度的进一步减小，其对器件特性的影响也越来越显著。在FinFET中，通常采用对沟道下方的鳍片部分进行重掺杂来抑制沟道穿通效应。目前通用的掺杂方法是离子注入形成所需重掺杂区，然而，离子注入的深度难以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET制造方法，包括： a.提供第一衬底(100)； b.在所述衬底上形成穿通阻挡层(120)； c.在所述衬底(100)上形成第二衬底(130)； d.对所述第一衬底(100)和第二衬底(130)进行刻蚀，形成鳍片(200)； e.在所述鳍片(200)两侧的衬底上形成浅沟槽隔离结构(300)； f.在所述鳍片(200)两端的部分分别形成源区、漏区，在所述鳍片中部的沟道区上方形成栅极结构(500)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云飞，李睿，尹海洲，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11