鳍式场效应晶体管的形成方法技术

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源区和漏区；利用金属卤化物和硅烷发生反应，在所述源区/漏区表面形成金属硅化物；在形成所述金属硅化物之后，进行退火工艺。所述形成方法形成的鳍式场效应晶体管性能提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种鶴式场效应晶体管的形成方法。
技术介绍
在大规模集成电路中，为降低源极、漏极和栅极的接触电阻和RC延迟，采用了自 对准娃化物（Self aligned silicide)工艺。自对准技术中，形成金属与半导体（例如娃） 的反应生成物，即金属娃化物。金属娃化物在化SAJLSI器件技术中起着非常重要的作用， 它具有良好的低电阻接触，并且可W用来提供位于金属线和衬底接触区域之间的接触面。 现有晶体管中金属娃化物的形成方法如图1至图4所示。 请参考图1，提供半导体衬底100,半导体衬底100上形成有晶体管的源极101、漏 极102和栅极103,源极101和漏极102通常由渗杂的娃材料形成，而栅极103通常由渗杂 多晶娃材料形成，栅极103与半导体衬底100 (的有源区）之间具有栅介质层104,栅极103 两侧具有侧墙105。 请参考图2,通过物理气相沉积法形成金属媒层106覆盖源极101、漏极102和栅 极103,金属媒层106层同时还覆盖侧墙105表面和栅介质层104侧面，再形成帽盖层107 覆盖金属媒层106。 请参考图3,进行第一次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源区和漏区；利用金属卤化物和硅烷发生反应，在所述源区/漏区表面形成金属硅化物；在形成所述金属硅化物之后，进行退火工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31