鳍式场效应晶体管的形成方法技术

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成至少两个分立的凸起结构；在所述凸起结构表面及半导体衬底表面形成保护层；在所述保护层表面形成第一介质层，且所述第一介质层顶面高于所述凸起结构；去除高于所述凸起结构的第一介质层及两个相邻凸起结构之间的部分厚度的第一介质层，所述高于剩余第一介质层表面的凸起结构为鳍式场效应晶体管的鳍部。采用本发明专利技术的方法能够提高鳍式场效应晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及。
技术介绍
随着半导体工艺技术的不断发展，随着工艺节点逐渐减小，金属栅极工艺得到了广泛应用，来获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CriticalDimens1n,⑶)进一步下降时，即使采用金属栅极工艺，常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应管(FinFET)是一种常见的多栅器件。FinFET中，栅极至少可以从两侧对沟道进行控制，比常规的MOS场效应管对沟道的控制能力强，能够很好的抑制短沟道效应。而且，FinFET与现有集成电路生产技术的兼容性良好。图1?图4是现有技术的一种鳍式场效应管的形成步骤的剖面结构示意图。具体包括:参考图1，提供硅衬底100，在硅衬底100上形成图形化的光刻胶层101。参考图2，以所述图形化的光刻胶层101为掩膜，刻蚀硅衬底100，在硅衬底100中形成至少两个凸起结构102’。接着，去除图形化的光刻胶层101。参考图3，在所述硅衬底100的表面形成氧化硅层103’，氧化硅层103’顶面高于凸起结构102’的顶面。参考图4，去除高于所述凸起结构102’的氧化硅层103’。接着，采用反应离子刻蚀或湿法腐蚀去除两个相邻凸起结构102’之间的部分厚度的氧化硅层103’，高于剩余氧化硅层103’表面的凸起结构102’为鳍式场效应晶体管的鳍部102，剩余的氧化硅层为鳍式场效应晶体管的绝缘层103。采用现有技术的方法形成的鳍式场效应晶体管的性能不佳。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是采用现有技术的方法形成的鳍式场效应晶体管的性能不佳。为解决上述问题，本专利技术提供一种，包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成至少两个分立的凸起结构；在所述凸起结构表面及所述半导体衬底表面形成保护层；在所述保护层表面形成第一介质层，且所述第一介质层顶面高于所述凸起结构；去除高于所述凸起结构的第一介质层及两个相邻凸起结构之间的部分厚度的第一介质层，所述高于剩余第一介质层表面的凸起结构为鳍式场效应晶体管的鳍部。可选的，所述保护层为氮化层。可选的，所述氮化层的材料为氮化硅或氮氧化硅。可选的，所述保护层的形成方法为等离子轰击或沉积中的一种或两种。可选的，所述保护层的形成方法为等离子轰击，所述等离子为含氮等离子。可选的，所述含氮等离子为氮等离子体，由氮气离子化而成。可选的，所述氮等离子体注入的剂量为IX 114?5X 1016atom/cm2，所述氮等离子体注入时的射频功率为500?3500W，所述氮等离子体注入的时间为10?600s。可选的，所述沉积为原子层沉积。可选的，所述氮化层的厚度为5?50埃。可选的，形成所述鳍部后，还包括去除所述鳍部表面保护层的步骤。可选的，去除所述鳍部表面保护层的方法为湿法腐蚀，湿法腐蚀剂为热磷酸溶液。可选的，去除高于所述凸起结构的第一介质层及两个相邻凸起结构之间的部分厚度的第一介质层的方法为等离子体刻蚀或者湿法腐蚀。可选的，形成至少两个分立的凸起结构的步骤之后，在所述凸起结构表面及半导体衬底表面形成保护层的步骤之前，还包括:在所述凸起结构表面及所述半导体衬底表面形成第二介质层。可选的，所述第二介质层的材料为氧化硅，所述第二介质层的形成方法为炉管氧化或单晶圆反应腔室氧化。可选的，所述第一介质层的材料为氧化硅，所述第一介质层的形成方法为沉积。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点:第一介质层与保护层的刻蚀选择比大，因此，去除两个相邻凸起结构之间的部分厚度的第一介质层时，保护层可以保护凸起结构在去除上述位置的部分厚度的第一介质层的过程中不受损伤，从而减小形成的鳍部表面粗糙度，提高鳍部表面的电子和空穴在鳍部的迁移率，进而提高后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。【附图说明】图1?图4是现有技术的一种鳍式场效应管的形成步骤的剖面结构示意图；图5?图11是本专利技术具体实施例中的鳍式场效应晶体管的形成步骤的剖面结构示意图。【具体实施方式】经过发现和分析，采用现有技术的方法形成的鳍式场效应晶体管的性能不佳的原因如下:参考图3和图4，采用反应离子刻蚀或湿法腐蚀去除两个相邻凸起结构102’之间的部分厚度的氧化硅层103’时，由于氧化硅层103’与硅衬底100的刻蚀选择比低，在反应离子刻蚀或湿法腐蚀的过程中，会对后续形成的鳍部102表面造成损伤，从而使后续形成的鳍部102表面粗糙，因此，影响电子和空穴在鳍部102的迁移率，进而影响后续形成的鳍式场效应晶体管的性能。为此，本专利技术提供了一种，采用本专利技术的方法能够提高鳍式场效应晶体管的性能。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。参考图5和图6，提供半导体衬底200，在所述半导体衬底200中形成至少两个分立的凸起结构204’。本实施例中，半导体衬底200是硅衬底。其他实施例中，半导体衬底也可以为锗硅衬底、II1- V族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或金刚石衬底，或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底。本实施例中，参考图3，半导体衬底200上还形成有垫氧层201，在垫氧层201上形成阻挡层202。阻挡层202在后续的化学机械研磨操作中作为研磨阻挡层，防止对后续形成的第一介质层进行过研磨。阻挡层202的材料为氮化硅，形成方法为化学气相沉积。垫氧层201的作用是为了防止阻挡层202和半导体衬底200之间由于热膨胀系数不同而产生的应力破坏。垫氧层201的材料为氧化硅，形成方法为化学气相沉积。其他实施例中，在半导体衬底上也可以不形成垫氧层和阻挡层，也属于本专利技术的保护范围。本实施例中，形成阻挡层202后，在阻挡层202的表面形成图案化的掩膜层203，以图案化的掩膜层203为掩膜，依次对阻挡层202、垫氧层201和半导体衬底200进行刻蚀，在半导体衬底200中形成至少两个分立的凸起结构204’ (参考图6)。本实施例中，掩膜层203由下至上依次包括:图形膜层、介质层抗反射层(Dielectric Ant1-Reflec1n Coat,DARC)和光刻胶层。其中图形膜层的材料为无定型碳。介质层抗反射层的材料为氮氧化娃(S1N)、碳掺杂氧化娃(SiCO)或者氮化娃(SiN)。之所以选择多层结当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成至少两个分立的凸起结构；在所述凸起结构表面及所述半导体衬底表面形成保护层；在所述保护层表面形成第一介质层，且所述第一介质层顶面高于所述凸起结构；去除高于所述凸起结构的第一介质层及两个相邻凸起结构之间的部分厚度的第一介质层，所述高于剩余第一介质层表面的凸起结构为鳍式场效应晶体管的鳍部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何永根，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31