【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度过渡层，该掺杂浓度过渡层在鳍状结构高度方向上的厚度与鳍状结构的宽度的一半具有相同量级。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，许淼，梁擎擎，尹海洲，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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