碳化硅半导体元件制造技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅半导体元件，利用为碳化硅的基板形成金属氧化物半导体场效应晶体管反向并联结型势垒肖特基二极管的整合结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体功率元件，尤其指一种碳化硅半导体功率元件。
技术介绍
半导体功率元件在特性上，要求在设计的耐压(击穿电压，breakdown voltage),应具备尽量小的导通电阻、低反向漏电流、以及较快的开关速度，以减少操作时的导通损耗(conduct1n loss)及切换损耗(switching loss)。碳化娃(silicon carbide, SiC)由于具有宽能隙(bandgap，Eg = 3.26eV)、高临界崩溃电场强度(2.2MV/cm)及高热导系数(4.9ff/cm-K)等特性，被认为是功率开关元件的较好材料。而在相同崩溃电压条件下，以碳化硅为基材制成的功率元件的耐压层(低掺杂浓度的漂移层(drift layer))厚度仅为硅(Si)功率元件厚度的十分之一；且理论上的导通电阻可达硅的数百分之一。然而碳化硅因其宽能隙，使碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管(SiC M0SFET)的本体二极管(body d1de)导通的临界电压约为3V，造成切换时逆向电流回流时产生较大的功率损耗，且限制切换速度。除此之外，碳化硅在沉积漂移层时所产生的外延基面差排(ba本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅半导体元件，其特征在于，包括：具有n型重掺杂的基板；设置于所述基板上并具有相比于所述基板的n型轻掺杂的漂移层；多个掺杂区域间隔设置于所述漂移层，所述掺杂区域间形成结型场效应区域，所述掺杂区域各自包括p型阱、设置于所述p型阱中的n型重掺杂区以及位于所述p型阱中且被所述n型重掺杂区所环绕的p型重掺杂区；设置于所述漂移层上的栅极介电层；设置于所述栅极介电层上的栅电极；设置于所述栅极介电层与所述栅极上的层间介电层；多个穿过所述层间介电层与所述栅极介电层直至接触部分所述n型重掺杂区与所述p型重掺杂区的源极开口，所述源极开口之间被所述栅电极与所述层间介电层间隔；多个穿过所述层间介电层与所述栅极介...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜诚廷，洪建中，李传英，李隆盛，
申请(专利权)人：瀚薪科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71