本公开涉及一种整合箝制电压箝位电路的碳化硅半导体组件。本发明提供一种整合金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)以及双向电压箝的碳化硅半导体组件，通过上述的简单结构以达到保护组件目的，有效避免栅极与源极间的正向过电压及负向过电压可能造...

一种半导体功率元件，包括一n型漂移层、复数个第一p型掺杂区域、复数个n型掺杂区域、复数个第二p型掺杂区域、一栅极介电层、一栅电极、一层间介电层以及复数个源极接触，该第一p型掺杂区域包括一第一p型掺杂部以及复数个自该第一p型掺杂部向外延伸...

本发明揭示一种可负压栅极驱动的智能功率模块，是将一宽能隙半导体功率单元、一调整单元、以及一驱动单元整合使该驱动单元的一电压准位可通过该调整单元而调整，据此，该宽能隙半导体功率单元在驱动状态下分别具有一正压与负压交替的驱动电压准位。

一种碳化硅半导体组件，利用一碳化硅基板形成一整合结构，该整合结构具有一金属氧化物半导体场效应晶体管以及一反向并联该金属氧化物半导体场效应晶体管的结型势垒肖特基二极管。

本发明公开一种可调式电压准位的宽能隙半导体元件，包含有一宽能隙半导体功率单元以及一准位调整单元，该宽能隙半导体功率单元具有一源极端，该准位调整单元与该源极端电性连接，其中，该准位调整单元透过该源极端提供一位移电压而调整该宽能隙半导体功率...

一种碳化硅半导体元件及其制造方法，包括一半导体层、一设置于该半导体层的一表面上的绝缘层、一设置于该绝缘层上的栅电极层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一浅掺杂区域以及一第三掺杂区域，该半导体层具有一第一导电性，该第一掺杂区域具有一第二导...

本发明提供了一种碳化硅场效晶体管，包括碳化硅基板、n型漂移层、p型磊晶层、源极区域、沟槽式栅极、至少一个p型掺杂区域、源极、介电层以及漏极。通过设置该p型掺杂区域位于该n型漂移层而相邻于该沟槽式栅极的侧边，并使该p型掺杂区域包含与该p型...

本发明公开一种碳化硅接面能障萧特基整流器，包含一碳化硅基板、一漂移层、一p型掺杂区域、多个接面场效应区域、一第一金属层以及一第二金属层。所述漂移层设置于所述碳化硅基板上，所述接面场效应区域设置于所述漂移层内，且由所述p型掺杂区域环绕，所...

一种碳化硅半导体元件以及其制造方法，藉由设置一通道控制区域，并令所述通道控制区域具有一从一第一掺杂边界开始递增，并于所述第一掺杂边界与一第二掺杂边界之间达到一最大值，而后朝所述第二掺杂边界递减的杂质浓度分布，使得所述碳化硅半导体元件，能...

本发明提供了一种碳化硅半导体元件，利用为碳化硅的基板形成金属氧化物半导体场效应晶体管反向并联结型势垒肖特基二极管的整合结构。

一种碳化硅功率元件，包含有一碳化硅基板、一功率元件结构及一终端结构。该碳化硅基板具有一漂移层，该漂移层具有一第一导电性并包含有一主动区域及一终端区域；该功率元件结构设置于该主动区域；而该终端结构设置于该终端区域并具有一第二导电性，该终端...