【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种疏水透气结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体等相关技术的快速发展，针对半导体芯片进行散热的需求也越来越大。
2、薄液膜核态沸腾相变冷却技术一种使用疏水透气结构作为分离介质，以疏水透气结构两侧压降作为推动力实现强制气泡脱离的高效相变冷却技术。疏水透气结构的疏水性、透气性、热稳定性以及机械稳定性会影响相变冷却效率，需要疏水透气结构具有高疏水性、高透气性、高热稳定性以及较高的机械稳定性，才能够实现较好的相变冷却效率。
3、但是当前疏水透气结构由高分子材料制造得到，无法同时满足高疏水性、高透气性、高热稳定性以及较高的机械稳定性的要求。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种疏水透气结构及其制造方法，能够制造得到具有高疏水性、高透气性、高热稳定性以及较高的机械稳定性的疏水透气结构。
2、为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
3、本申请提供了一种疏水透气结构的制造方法，包括：
4、结合多孔氧化铝和半导体基体，所述多孔氧化铝包括多个第一透气孔，所述半导体基体包括至少一个第二透气孔，所述第二透气孔的孔径大于所述第一透气孔的孔径；
5、在所述多孔氧化铝远离所述半导体基体的一侧表面形成疏水膜层；
6、刻蚀所述疏水膜层形成疏水纳米针状结构，沿着所述半导体基体朝向所述多孔氧化铝的方向，所述疏水纳米针状结构平行于所述多孔氧化铝所在表面的截面面积逐渐降低。
<...【技术保护点】
1.一种疏水透气结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述疏水膜层形成疏水纳米针状结构包括：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述结合多孔氧化铝和半导体基体包括：
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述结合多孔氧化铝和半导体基体包括：
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成粘合剂，将所述粘合剂转移至半导体基体的一侧表面包括：
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一透气孔的结构参数包括第一孔径、第一孔隙率和孔道长度，所述第二透气孔的结构参数包括第二孔径和第二孔隙率，根据所述第一孔径和所述第二孔径之间的孔径比调整所述疏水透气结构的疏水性，根据所述第一孔隙率和所述第二孔隙率之间的孔隙率比调整所述疏水透气结构的透气性，通过调整所述孔道长度调整所述疏水透气结构的透气性。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求1-7任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述疏水纳米针状结构为圆锥结构、棱锥结构、圆台结构或棱台结构。
10.一种疏水透气结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种疏水透气结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述疏水膜层形成疏水纳米针状结构包括：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述结合多孔氧化铝和半导体基体包括：
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述结合多孔氧化铝和半导体基体包括：
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成粘合剂，将所述粘合剂转移至半导体基体的一侧表面包括：
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：付融，陈钏，杨宇东，李君，王启东，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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