半导体发光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序；该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；该热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的该硅酮树脂的1000～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时，满足5＜a‑b＜20。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体发光装置的制造方法。本申请基于2014年7月28日在日本申请的日本特愿2014-152879号主张优先权，将其内容引用到本申请中。
技术介绍
近年来，作为半导体发光元件的密封材料提出了使用硅酮树脂组合物的固化物的方案。但是，硅酮树脂组合物的固化物的透气性高、对空气中的硫化氢气体的阻挡性低。因此，在使用硅酮树脂组合物的固化物进行密封的情况下，受到密封的半导体发光元件的作为背面反射板的银膜被空气中的硫化氢腐蚀，会有半导体发光元件的亮度降低的问题。作为解决上述问题的硅酮树脂组合物，提出过如下的固化性硅酮树脂组合物，其特征在于，包含固化后的硅酮树脂组合物的折射率为1.50～1.55的硅酮树脂、和以1～30质量％的浓度均匀地分散于硅酮树脂中的平均粒径1～10μm的氧化硅填料(参照专利文献1。)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-41496号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，专利文献1中记载的硅酮树脂组合物存在有耐裂纹性及耐热性不够充分的情况。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供具备由硅酮树脂组合物的固化物形成的耐裂纹性及耐热性提高了的密封部的、光半导体发光装置的制造方法。用于解决问题的方法本专利技术人等发现，若使硅酮树脂组合物热固化，则来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的给定的峰的位置会发生变化。此外还发现，通过作为材料使用给定的硅酮树脂组合物、将使所述硅酮树脂组合物热固化时的上述峰的位置的变化量控制在给定的范围中，可以提高硅酮树脂组合物的固化物(即光半导体发光装置的密封部或光半导体密封用构件)的耐裂纹性及耐热性，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的一个方式提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括使涂布于半导体发光元件的表面的硅酮树脂组合物热固化、形成覆盖所述半导体发光元件的表面地设置的密封部的工序，所述硅酮树脂组合物的60质量％以上为构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂，所述热固化在如下条件下进行，即，所述硅酮树脂的1000～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置acm-1、和热固化后的所述硅酮树脂组合物的950～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置bcm-1满足5＜a-b＜20。在本专利技术的一个方式中，所述条件也可以设为满足8＜a-b＜20的条件。即，本专利技术涉及以下内容。[1]一种半导体发光装置的制造方法，包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使所述被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖所述半导体发光元件的表面的密封部的工序；所述硅酮树脂组合物相对于所述硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；所述热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的所述硅酮树脂的1000～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm-1、将热固化后的所述硅酮树脂组合物的950～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm-1时，满足5＜a-b＜20。[2]根据[1]中记载的制造方法，其中，所述条件为满足8＜a-b＜20的条件。专利技术效果本专利技术的制造方法对于制造具备由硅酮树脂组合物的固化物形成的耐裂纹性及耐热性提高了的密封部的光半导体发光装置而言有用。附图说明图1是表示本专利技术的光半导体密封用构件的透光率的测定结果的曲线图。图2是本专利技术的光半导体发光装置的剖面图。具体实施方式以下，对本专利技术进行详细说明，然而本专利技术并不限定于以下的实施方式，只要是在其主旨的范围内，则可以进行各种变更后实施。本专利技术作为一个实施方式，提供一种光半导体发光装置的制造方法，其包括使涂布于半导体发光元件的表面的硅酮树脂组合物热固化、形成覆盖所述半导体发光元件的表面地设置的密封部的工序，所述硅酮树脂组合物的60质量％以上为构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂，所述热固化在如下的条件下进行，即，所述硅酮树脂的1000～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置acm-1、和热固化后的所述硅酮树脂组合物的950～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置bcm-1满足5＜a-b＜20。本申请专利技术的另一个方面提供一种光半导体发光装置的制造方法，其包括：在导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物、和通过使所述被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖所述半导体发光元件的表面的密封部；所述硅酮树脂组合物相对于所述硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；所述热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的所述硅酮树脂的1000～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm-1、将热固化后的所述硅酮树脂组合物的950～1050cm-1处的来自于Si-O-Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm-1时，满足5＜a-b＜20。在作为本专利技术的一个实施方式的光半导体发光装置的制造方法中，使用含有60质量％以上的硅酮树脂(以下有时称作“树脂A”。)的硅酮树脂组合物作为光半导体发光装置的密封部(以下有时也称作光半导体密封用构件。)的材料，所述硅酮树脂的作为构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子。此处，所谓“60质量％以上”，是指相对于硅酮树脂组合物的固体成分的总质量，包含60质量％以上的树脂A。硅酮树脂组合物更优选相对于硅酮树脂组合物的固体成分的总质量，包含80质量％以上且100质量％以下的树脂A，进一步优选包含90质量％以上且100质量％以下的树脂A，特别优选包含95质量％以上且100质量％以下的树脂A。以下，对硅酮树脂组合物进行说明。[硅酮树脂组合物](硅酮树脂)一般而言，硅酮树脂包含下式的重复单元。下式中，R1表示烷基或芳基，R2各自独立地表示烷氧基、烯基、氢原子、或羟基。化1本说明书中，将包含3个与其他硅原子键合了的氧原子及与R1键合了的硅原子的重复单元称作重复单元A3(上式(A3))。同样地，将包含2个与其他硅原子键合了的氧原子、与R1及R2键合了的硅原子的重复单元称作重复单元A2(上式(A2))。另外，将包含1个与其他硅原子键合了的氧原子、与R1及2个R2键合了的硅原子的重复单元称作重复单元A1(上式(A1))。重复单元A1构成有机聚硅氧烷链的末端。另外，重复单元A3构成由1或2条有机聚硅氧烷链形成的支链结构。即，重复单元A3形成树脂的网络结构或环结构的一部分。本专利技术的一个实施方式的制造方法中所用的、所谓“构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂(树脂A)”，是指实质上仅由选自(1)上述重复单元A3、(2)上述重复单元A2中R2为烷氧基或羟基的重复单元、以及(3)上述重复单元A1中R2为烷氧基或羟基的重复单元中的至少1个重复单元构成的硅酮树脂。此处，所谓“实质上”，是指容许混入在硅酮树脂的制造上难以排除的上述(1)、(2)或(3)的重复单元以外的重复单元。例如，只要相对于构成硅酮树脂的重复单元的总摩尔数而言本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使所述被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖所述半导体发光元件的表面的密封部的工序；所述硅酮树脂组合物相对于所述硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；所述热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的所述硅酮树脂的来自1000～1050cm‑1处的Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的所述硅酮树脂组合物的来自950～1050cm‑1处的Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时，满足5＜a‑b＜20。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.28 JP 2014-1528791.一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使所述被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖所述半导体发光元件的表面的密封部的工序；所述硅酮树脂组合物相对于所述硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川岳，高岛正之，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP