【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及氧化铝粉末及包含其的氧化铝浆料，特别是涉及适于研磨用氧化铝浆料的氧化铝粉末和包含其的研磨用氧化铝浆料。
技术介绍
1、在ic芯片等半导体部件的制造工序中，通过反复进行光刻工序和cmp(chemicalmechanical polishing：化学机械研磨)工序来形成多层布线。
2、cmp工序是在光刻工序后将si片(wafer)表面平坦化的技术。市售有将研磨材(例如陶瓷粉末)分散到分散介质中而得到的cmp浆料，将该cmp浆料用分散介质稀释而用于cmp工序。
3、目前半导体部件内的布线以铜布线为主流。因此，主要使用包含二氧化硅粉末作为研磨材的cmp浆料。
4、此外，作为研磨用途的陶瓷粉末，除了二氧化硅粉末以外，还已知有氧化铝粉末(例如专利文献1)。在专利文献1中记载了：平均粒径为约5μm以下、实质上不含有10μm以上的粗粒子、且没有粗大凝聚粒子的氧化铝粉末。
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开平8-12323号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、若布线的线宽变窄(例如，线宽为7μm以下)，则就cu布线而言电阻变高，因此代替铜布线，研究了钌布线或钴布线的使用。钌及钴由于比铜硬，因此利用二氧化硅粉末难以研磨。于是，考虑使用包含比二氧化硅粉末硬质的氧化铝粉末作为研磨材的cmp浆料。
3、然而，以往的包含氧化铝粉末的cmp浆料(氧化铝浆料)存在氧化铝粉
4、在专利文献1中，没有考虑氧化铝浆料中的氧化铝粉末的分散性。
5、本专利技术的实施方式的目的是提供氧化铝浆料中的分散性优异的氧化铝粉末及包含该氧化铝粉末的氧化铝浆料。
6、用于解决课题的手段
7、本专利技术的方案1为一种氧化铝粉末，
8、其满足以下的式(1)。
9、rsp/氧化铝粉末的总表面积≤12.0 (1)
10、式(1)中的rsp及氧化铝粉末的总表面积分别由下述的式(2)及式(3)求出。
11、rsp＝(rav-rb)/rb (2)
12、rav为对使氧化铝粉末分散于分散介质中而得到的体积x(ml)的氧化铝浆料进行脉冲nmr测定时的横向弛豫时间的倒数，
13、rb为对体积x(ml)的上述分散介质进行脉冲nmr测定时的横向弛豫时间的倒数。
14、氧化铝粉末的总表面积(m2)＝(上述体积x(ml)中的氧化铝粉末的质量(g))×氧化铝的bet比表面积(m2/g)(3)
15、本专利技术的方案2为根据方案1所述的氧化铝粉末，
16、其进一步满足以下的式(4)。
17、3.0≤rsp/氧化铝粉末的总表面积 (4)
18、本专利技术的方案3为根据方案1或2所述的氧化铝粉末，
19、晶格应变为0.002以下。
20、本专利技术的方案4为一种氧化铝浆料，
21、其包含方案1～3中任一项所述的氧化铝粉末、分散剂和分散介质。
22、专利技术效果
23、根据本专利技术的实施方式，能够提供氧化铝浆料中的分散性优异的氧化铝粉末及包含该氧化铝粉末的氧化铝浆料。
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1.一种氧化铝粉末，其满足以下的式(1)，
2.根据权利要求1所述的氧化铝粉末，其进一步满足以下的式(4)，3.0≤Rsp/氧化铝粉末的总表面积 (4)。
3.根据权利要求1所述的氧化铝粉末，其中，晶格应变为0.002以下。
4.一种氧化铝浆料，其包含权利要求1～3中任一项所述的氧化铝粉末、分散剂和分散介质。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氧化铝粉末，其满足以下的式(1)，
2.根据权利要求1所述的氧化铝粉末，其进一步满足以下的式(4)，3.0≤rsp/氧化铝粉末的总表面积 (4)。
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