半导体发光元件制造技术
【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件
本专利技术涉及半导体发光元件。
技术介绍
半导体发光元件小型、功率效率良好且发出鲜明的颜色的光。另外，作为半导体发光元件的发光元件没有用坏的担心等。进而，具有初始驱动特性优良、应对振动和接通/断开点亮的反复能力强。为了具有这样优良的特性，使用发光二极管(LightEmittingDiode：下面也称作“LED”)、激光二极管(LaserDiode：下面也称作“LD”)等半导体发光元件作为各种光源。特别是，近年来，作为取代荧光灯的照明用光源，作为更低消耗功率且长寿命的次世代照明而受到人们关注，正谋求进一步的发光输出的提升以及发光效率的改善。在GaN系发光元件中，利用组合了ITO等的透光性电极和电介质反射膜的反射型电极。特别是，由于以GaN为基底的倒装芯片型的LED裸片具有在组装中不用接线的这样的特征，因此能实现封装的小型化，能期待LED裸片的集成化所带来的亮度提高和成本降低等。另外，由于没有接线发生断线的担心，因此来自发光面的散热也变得较为容易，因此，在高电流使用时的可靠性也较高，也能用在车载用途中。另外，最近，对用于进一步提高提取效率输出的构造进行...
【技术保护点】
一种半导体发光元件，其具备：包含活性区域的半导体构造；形成于所述半导体构造的上表面的透光性导电层；形成于所述透光性导电层的上表面的电介质膜；和形成于所述电介质膜的上表面的金属反射层，所述电介质膜设有1个以上的开口部，以使得所述透光性导电层部分地露出，所述透光性导电层介由所述开口部与所述金属反射层电接合，按照覆盖开口部的方式部分地形成阻挡层，使该阻挡层介于所述透光性导电层和所述金属反射层之间。
【技术特征摘要】
2011.08.31 JP 2011-189889;2012.07.30 JP 2012-16891.一种半导体发光元件，其具备：包含活性区域的半导体构造；形成于所述半导体构造的上表面的透光性导电层；形成于所述透光性导电层的上表面的电介质膜；和形成于所述电介质膜的上表面的金属反射层，所述电介质膜设有1个以上的开口部，以使得所述透光性导电层部分地露出，所述透光性导电层介由所述开口部与所述金属反射层电接合，按照覆盖开口部的方式部分地形成阻挡层，使该阻挡层介于所述透光性导电层和所述金属反射层之间，设于所述电介质膜的侧面的所述阻挡层的厚度按照在所述开口部中上部窄而下部宽的方式构成。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述电介质膜由多层构成。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述金属反射层由铝或其合金构成。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述阻挡层由Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ir、Ru、Os的群中的至少一种金属或其合金构成。5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：楠濑健，东直树，小川利昭，笠井久嗣，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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