氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法技术

一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法。
技术介绍
LED照明是新一代固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。从LED的结构上讲，可以将GaN基LED划分为正装结构、倒装结构和垂直结构。目前比较成熟的III族氮化物多采用蓝宝石材料作为衬底，由于蓝宝石衬底的绝缘性，所以普通的GaN基LED采用正装结构。垂直结构LED凭借它适宜在大驱动电流下工作而获得高流明输出功率的优势，从而可获得高的性价比。因此，GaN基垂直结构LED是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势，必将逐步成为主流产品。 垂直结构的LED需要至少一根金线，从而与外界电源相连接，每根金线本身及其焊点是良品率和可靠性降低的原因之一，金线所占用的空间增大了垂直氮化镓基LED的封装产品的厚度。3D垂直结构LED所有的制造工艺都是在晶片(wafer)水平进行的。由于无需打金线与外界电源相联结，采用通孔垂直结构的LED芯片的封装的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件，如背光源等。由于无需打金线，良品率和可靠性均提高。在封装前进行老化，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤2：减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；步骤3：在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；步骤4：刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；步骤5：将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；步骤6：用激光器在台面上打通孔；步骤7：在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；步骤8：在绝缘层上制作导电层，该导...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，张扬，杨华，李璟，刘志强，伊晓燕，王军喜，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：