发光二极管装置的制造方法及发光半导体结构制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种发光二极管装置的制造方法及发光半导体结构，其中，该方法包括：提供一基板；形成一牺牲介电层于基板上，其中牺牲介电层为一具空隙结构的单层或多层结构；形成一缓冲层于牺牲介电层上；形成一发光磊晶结构于缓冲层上；形成一接合金属层于发光磊晶结构上；接合接合金属层至一导热基板；及湿蚀该牺牲介电层以移除基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管装置的制造方法，尤其涉及一种利用湿蚀刻牺牲介电层以移除基板的发光二极管装置制造方法。
技术介绍
发光二极管具有一 P/N接面，而对发光二极管的P/N接面施加电压可使发光二极管发光。发光二极管组件可广泛地使用在各种应用中，例如指示器(indicator)、招牌、照明、以及其它种类的照明组件。发光二极管(light-emitting diode,LED)由于体积小、使用寿命长、耗电量低与亮度高等优点，已逐渐取代传统的灯泡，成为目前最重要的发光组件。一般来说，发光二极管装置可包括一基板、一形成于基板上的缓冲层、及一形成于缓冲层上的发光磊晶结构。发光二极管在发光时会产生热，如果无法散热，将降低发光二极管的发光性能，因此若使用高导热基板，将有助于发光二极管装置的散热。一些常见的LED基板，例如蓝宝石基板，虽然为良好的磊晶结构生长基板，却具有低热传导系数，因此无法达到良好的导热效果。目前一常见的解决方法为使用激光剥除(laser lift-off)制程移除基板，再将从基板移除的发光二极管部分接合至一导热基板。以一垂直式GaN发光二极管装置来说，可先在一蓝宝石基板上生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一牺牲介电层于该基板上，其中该牺牲介电层为一具空隙结构的单层或多层结构；形成一缓冲层于该牺牲介电层上；形成一发光磊晶结构于该缓冲层上；形成一接合金属层于该发光磊晶结构上；及接合该接合金属层至一导热基板。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭奇文，方国龙，陈俊荣，杨智皓，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：