【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构及其形成方法，特别是涉及包含支撑断件的半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着光电科技的演进，各种型态的显示装置也不断地改善其特性，例如增加分辨率、缩小体积和节省能源等，而微型发光二极管(micro light-emittingdiode；μled)显示装置即为其中一重要发展型态。微型发光二极管的优点包含低功耗、高亮度、高分辨率以及高色彩饱和度，因此微型发光二极管显示装置被视为下一个世代的显示技术的主流。然而，微型发光二极管制作工艺仍面临许多技术挑战。
2、微型发光二极管是将传统发光二极管尺寸微缩至约100微米以下甚至数十微米的数量级。在此数量级下，相同面积内的发光二极管数量剧增，因此在巨量转移(masstransfer)方面尚有许多技术难题待解决。在生长基板上制作微型发光二极管后，可以形成能弱化微型发光二极管与基板之间的连接程度的支撑结构(又可称为弱化结构)，之后通过精准拾取技术(例如具有静电力的转移印模)拔取微型发光二极管并将其巨量地转移至另一目标基板上。而目前在微型发光二极管与基板之间的弱化...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有U型横截面(U-shaped crosssection)。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有底部(bottom portion)位于该微型半导体元件上，以及环状侧壁(circular sidewall)连接该底部。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件为具有开口的空心柱体(hollowcylinder)，该开口朝向远离该第一表面和该第二表面其中一者的方向。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有相...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有u型横截面(u-shaped crosssection)。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有底部(bottom portion)位于该微型半导体元件上，以及环状侧壁(circular sidewall)连接该底部。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件为具有开口的空心柱体(hollowcylinder)，该开口朝向远离该第一表面和该第二表面其中一者的方向。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有相对的底表面(bottomsurface)和顶表面，该底表面位于该微型半导体元件上，该顶表面为该环状断面且较该底表面更远离该微型半导体元件，该环状断面与该微型半导体元件的俯视面积比值介于0.1％至10％之间。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一电极包括延伸部与该主体部连接，其中该支撑断件的该底表面设置于该第一电极的该延伸部上。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该支撑断件的一部分突出于该第一电极的顶表面和该第二电极的顶表面。
8.如权利要求5所述的半导体结构，其中该支撑断件设置于该微型半导体元件的该第二表面上，且该支撑断件的该底表面直接接触该第二表面。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极的该主体部与该第二电极位于同一水平面上，该第一电极具有延伸部连接该主体部并朝该第二电极的方向而延伸至该主体部和该第二电极之间的该区域中，其中该支撑断件对应于该延伸部而设置。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一电极的该延伸部在该微型半导体元件的该第二表面上的垂直投影范围包含该支撑断件在该微型半导体元件的该第二表面上的垂直投影范围。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极和该第二电极在第一方向上彼此分离，且该第一电极和该第二电极其中一者在第二方向上具有电极宽度，该支撑断件在该第二方向上具有临界尺寸，该临界尺寸小于该电极宽度。
12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件具有大于等于80％的透光率。
13.如权利要求1所述的半导体结构，其中该支撑断件的材料包含氧化硅、氮化硅、陶瓷材料、或前述的组合。
14.如权利要求1所述的半导体结构，其中该微型半导体元件包含第一半导体层、位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，许国翊，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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