发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法技术

技术编号:9296810 阅读:170 留言:0更新日期:2013-10-31 01:03
本发明专利技术提供一种发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法,用以提升外部量子效率,其至少包含有一半导体层,该半导体层内部包含有一具有多个间隔区的粗化层,每一间隔区中具有至少一介电材料层,该至少一介电材料层呈倒金字塔型,该至少一介电材料层的部分须露出于该粗化层之外,透过利用该介电材料层作为光的散射界面,使得自发光层放射的光子能藉由介电材料层的散射效应及间隔区呈斜切的内侧面以帮助提升光子射出于发光二极管之外的机率,如此可降低全反射发生的机率,藉以达成提升外部量子效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管的具有介电材料层的半导体层,用以提升外部量子效率,其特征在于,该发光二极管的具有介电材料层的半导体层至少包含有一半导体层,其中该半导体层内部包含有一具有多个间隔区的粗化层,每一间隔区中具有至少一介电材料层,该至少一介电材料层呈倒金字塔型,且该至少一介电材料层的部分露出于该粗化层之外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林文禹武良文
申请(专利权)人:璨圆光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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