【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少包括N?GaN层、量子阱层、P?GaN层以及透明导电层的发光外延结构；2)按所需图形在所述发光外延结构中刻蚀出多个直至所述半导体衬底的凹槽，藉由所述多个凹槽将所述发光外延结构隔成多个相互独立的三角形或/及菱形的发光外延单元，并在每个发光外延单元中刻蚀出N电极的制备区域，然后对各该凹槽进行绝缘处理；3)在各该发光外延单元的透明导电层上制备P电极，并在各该N电极的制备区域制备N电极，最后通过对所述各发光外延单元进行桥接以完成所述发光二极管的制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张楠，朱广敏，郝茂盛，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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