一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底及其制备方法技术

一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1)提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2)于所述缓冲层表面形成半导体介质层；3)通过光刻工艺将所述半导体介质层刻蚀出间隔排列的多个半导体介质凸起，且露出各该半导体介质凸起之间的缓冲层。该方法既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，朱广敏，袁根如，邢志刚，李振毅，齐胜利，刘文第，奚明，马悦，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31