The present disclosure relates to a semiconductor device and method. In an embodiment, a semiconductor device includes a silicon carbide layer including a transverse diode, and a III group nitride based semiconductor device disposed on the silicon carbide layer.
【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及半导体领域，并且更具体地涉及一种半导体器件和方法。
技术介绍
迄今为止，功率电子应用中使用的晶体管典型地由硅(Si)半导体材料制造。用于功率应用的常见的晶体管器件包括Si超结器件、Si功率MOSFET和Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。最近，已经考虑了碳化硅(SiC)功率器件。诸如氮化镓(GaN)器件等的氮化III族半导体器件现在正作为承载大电流、支持高电压和提供非常低的导通电阻与快速开关时间的有吸引力的候选者而出现。
技术实现思路
在实施例中，半导体器件包括：包括横向二极管的碳化硅层，和布置在碳化硅层上的基于III族氮化物的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括：包括第一横向二极管和第二横向二极管的碳化硅层，和布置在碳化硅层上的基于III族氮化物的半导体器件。第一横向二极管与基于III族氮化物的半导体器件并联耦合并且第二二极管与基于III族氮化物的半导体器件串联耦合。在实施例中，方法包括：在碳化硅层上形成基于
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：碳化硅层，包括横向二极管；和基于III族氮化物的半导体器件，被布置在所述碳化硅层上。
【技术特征摘要】
2014.12.17 US 14/573,0621.一种半导体器件，包括：
碳化硅层，包括横向二极管；和
基于III族氮化物的半导体器件，被布置在所述碳化硅层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述横向二极管与所
述基于III族氮化物的半导体器件并联耦合。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述横向二极管与所
述基于III族氮化物的半导体器件串联耦合。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述基于III族氮化
物的半导体器件包括晶体管器件。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述基于III族氮化
物的半导体器件包括高电子迁移率晶体管。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述横向二极管包括
通过肖特基接触与所述碳化硅层耦合的阳极和通过欧姆接触与所述
碳化硅层耦合的阴极。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述阳极与所述基于
III族氮化物的半导体器件的源极耦合。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述阴极与所述基于
III族氮化物的半导体器件的漏极耦合。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述阳极与所述基于
III族氮化物的半导体器件的漏极耦合。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述阴极与所述半
导体器件的输出耦合。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述碳化硅层被布
置在绝缘层上。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述绝缘层被布置
在衬底上。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括氧
\t化硅并且所述衬底包括硅。
14.一种半导体器件，包括：
碳化硅层，包括第一横向二极管和第二横向二极管；和
基于III族氮化物的半导体器件，布置在所述碳化硅层上，
其中所述第一横向二极管与所述基于III族氮化物的半导体器件
...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·毛德，K·霍塞尼，F·卡尔曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。