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本公开的实施方式涉及一种半导体器件和方法。在实施例中，一种半导体器件包括：包括横向二极管的碳化硅层，和布置在碳化硅层上的基于III族氮化物的半导体器件。...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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