半导体元件和半导体元件的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件和半导体元件的制造方法，特别涉及在具有超结(SuperJunction)结构的半导体元件中集成温度检测元件的技术。
技术介绍
在具有多个p型柱和n型柱并列而成的超结结构的半导体元件的主面的中央配置温度检测元件对半导体元件的温度进行检测的情况下，存在温度检测元件所具有的二极管结构的内部的电场分布和电位分布对半导体元件产生影响的情况。因此，存在温度检测元件(以下称作“温度检测二极管”)使半导体元件的电荷平衡发生改变，半导体元件的耐压下降的情况。在检测上述半导体元件的温度时，为了抑制温度检测二极管所带来的电荷平衡的破坏，已知使设置温度检测二极管的温度检测区域下的柱的宽度小于温度检测区域的周围的活性区域下的柱的技术(参照专利文献1)。但是，在专利文献1的技术的情况下，在电流流经的活性区域与温度检测区域的边界的连接部分，由于p型柱和n型柱的结构，电位分布变得不均匀。因此，存在由于该电位分布的不均匀而产生半导体元件的耐压下降的问题。现有专利文献专利文献专利文献1：国际公开2013/015014号
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术是着眼于...
【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，包括：漂移层，其具有在第一导电型区域的内部在与所述第一导电型区域的主面平行的方向上以相同间隔设置多个第二导电型的柱而成的超结结构；周期性地设置于所述第一导电型区域的表面层的第二导电型的多个阱区域；除了一部分所述阱区域中包含的部分区域之外，有选择地设置于所述多个阱区域内的第一导电型的源极区域；设置于所述阱区域之上的栅极绝缘膜；周期性地设置于所述栅极绝缘膜之上的多个栅极电极；和与所述栅极电极的周期性的结构相匹配且以与所述栅极电极相同的线宽和与所述栅极电极相同的厚度设置的第一温度检测二极管。
【技术特征摘要】
2015.08.11 JP 2015-1591381.一种半导体元件，其特征在于，包括：漂移层，其具有在第一导电型区域的内部在与所述第一导电型区域的主面平行的方向上以相同间隔设置多个第二导电型的柱而成的超结结构；周期性地设置于所述第一导电型区域的表面层的第二导电型的多个阱区域；除了一部分所述阱区域中包含的部分区域之外，有选择地设置于所述多个阱区域内的第一导电型的源极区域；设置于所述阱区域之上的栅极绝缘膜；周期性地设置于所述栅极绝缘膜之上的多个栅极电极；和与所述栅极电极的周期性的结构相匹配且以与所述栅极电极相同的线宽和与所述栅极电极相同的厚度设置的第一温度检测二极管。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：在俯视图案上的布局中，所述第一温度检测二极管设置于构成所述漂移层的所述第一导电性型区域的中央。3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于：所述第一温度检测二极管是多个pn结二极管的串联结构。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其特征在于：所述第一温度检测二极管设置于与所述栅极电极相同的高度。5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其特征在于：所述第一温度检测二极管设置于比所述栅极电极高的位置。6.一种半导体元件，其特征在于，包括：漂移层，其具有在第一导电型区域的内部在与所述第一导电型区域的主面平行的方向上以相同间隔设置多个第二导电型的柱而成的超结结构；设置于所述第一导电型区域的表面层的第二导电型的多个阱区域；有选择地设置于所述阱区域内的第一导电型的源极区域；设置于所述主面上的栅极绝缘膜；和设置于所述栅极绝缘膜之上且以横跨相邻的所述阱区域内的所述源极区域的方式设置的栅极电极，在所述栅极电极的一部分设置有第二温度检测二极管。7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：所述第二温度检测二极管与所述栅极电极分离。8.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：在所述第二温度检测二极管的正下方没有设置所述源极区域。9.一种半导体元件，其特征在于，包括：漂移层，其具有在第一导电型区域的内部在与所述第一导电型区域的主面平行的方向上以相同间隔设置多个第二导电型的柱而成的超结结构；设置于所述第一导电型区域的表面层的第二导电型的多个阱区域；有选择地设置于所述阱区域内的第一导电型的源极区域；设置于所述主面上的栅极绝缘膜；设置于所述栅极绝缘膜之上且以横跨相邻的所述阱区域内的所述源极区域的方式设置的栅极电极；和设置于所述栅极电极之上的层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上设置有第三温度检测二极管。10.如权利要...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。