【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高耐压集成电路装置(hvic)等半导体装置。
技术介绍
1、以往，对于构成功率变换用桥电路的绝缘栅极型双极晶体管(igbt)等半导体功率开关元件的栅极驱动，为了电绝缘而使用了变压器、光电耦合器。但是，近年来，主要在小容量的用途中使用了不进行电绝缘的高耐压集成电路装置(以下称为“hvic”)以降低成本。
2、专利文献1公开了以往的hvic。hvic具备用于对半导体功率开关元件的栅极进行驱动的栅极驱动电路、控制栅极驱动电路的控制电路、以及在栅极驱动电路与控制电路之间进行信号传递的电平转换器。栅极驱动电路形成于通过高耐压分离构造而与控制电路侧分离的高电位区。
3、在高电位区存在以p型基板为集电极、以形成于p型基板的n型阱区为基极、以形成于n型阱区的p型阱区为发射极的寄生pnp晶体管。在hvic的通常动作时，施加于n型阱区的vb电位保持为比施加于p型阱区的vs电位高15v左右。因此，寄生pnp晶体管的基极-发射极间处于反向偏置状态，在寄生pnp晶体管中不流通电流。但是，当由于因雷电等引起的外来噪声而使vb电位比vs电位低0.6v以上时，寄生pnp晶体管的基极-发射极间成为正向偏置状态。此时，寄生pnp晶体管导通，寄生pnp晶体管的集电极电流在p型基板中流通，导致hvic的破坏。
4、为了防止因外来噪声引起的hvic的破坏，在以往的hvic中，在n型阱区的底部配置有高杂质浓度的n+型埋层。由此，对于p型阱区的正下方的寄生pnp晶体管，放大率hfe被抑制。但是，对于从p型阱区直到n+型埋
5、为了解决上述问题，专利文献2公开了以下构造：在n+型埋层的端部配置到达n+型埋层的、高杂质浓度的深的n型扩散层，来抑制从p型阱区直到n+型埋层的端部附近地沿斜向形成的寄生pnp晶体管的放大率hfe。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本专利第4620437号说明书
9、专利文献2：日本特开2002-324848号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、但是，在如专利文献2所记载的那样配置高杂质浓度的深的n型扩散层的方法中，需要追加用于形成高杂质浓度的深的n型扩散层的工序，因此工艺成本增大。
3、本专利技术的目的在于提供一种能够抑制因外来噪声引起的寄生元件的动作、从而能够防止破坏的半导体装置。
4、用于解决问题的方案
5、为了实现上述目的，本专利技术的一个方式的主旨为一种半导体装置，具备：(a)第一导电型的半导体基体；(b)第二导电型的第一阱区，其设置于半导体基体；(c)至少一个第一导电型的第二阱区，所述第二阱区设置于第一阱区，是高侧电路的一部分；(d)第二导电型的埋层，其设置于第一阱区的底部，所述埋层的杂质浓度比第一阱区的杂质浓度高；(e)第二导电型的耐压区，其设置于第一阱区的周围；以及(f)第一导电型的抽取区，其在第一阱区中，与第二阱区相向地设置于高侧电路的周围的至少一部分，且设置得比第二阱区深。
6、专利技术的效果
7、根据本专利技术，能够提供一种能够抑制因外来噪声引起的寄生元件的动作、从而能够防止破坏的半导体装置。
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1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，还具备：
11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
13.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1或2所述的半导...
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