【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及具有互连跳线的半导体反熔丝装置。
技术介绍
1、例如存储器装置、微处理器的微电子装置通常包含经配置以对存储器装置的成分进行编程或提供对冗余电路系统的存取的电反熔丝装置。通常，当跨定位于电介质层的相对侧上的两个电极施加电场以诱发断裂时，反熔丝装置可通过电介质层击穿来操作，因此导致跨两个电极的电介质层的减小。所述反熔丝装置可使用金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)工艺来实施，以通过其栅极电介质层实现短路状态。此外，常规存储器产品包含依赖于源极侧栅极悬垂的平面mosfet反熔丝装置。实施电反熔丝装置的挑战之一是栅极电介质层击穿所需的高成功率。另外，随着半导体存储器装置尺寸的缩放趋势，需要进一步减小电反熔丝装置面积。
技术实现思路
1、本公开的一方面涉及一种反熔丝装置，其包括：栅极，其具有栅极电介质层；第一掺杂区，其连接到所述栅极的第一端；第二掺杂区，其连接到所述栅极的第二端，所述第二端与所述栅极的所述第一端相对；沟道，其安置在所述栅极下方且连接所述第一掺杂区及所述第二掺杂区；及互连跳线，其电连接所述第一掺杂区及所述第二掺杂区。
2、本公开的另一方面涉及一种反熔丝装置，其包括：鳍片场效应晶体管(finfet)，其具有鳍片、源极、漏极及含有栅极电介质层的栅极，所述finfet的所述源极及漏极通过所述鳍片连接；及互连跳线，其电连接所述finfet的所述源极及漏极，其中所述反熔丝装置经配置以通过形成以下而短路：第一对主击穿区，所述
3、本公开的又一方面涉及一种反熔丝装置，其包括：平面金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，其具有源极、漏极及含有栅极电介质层的栅极，所述栅极悬垂于所述源极及/或所述漏极的至少一部分上；及互连跳线，其电连接所述mosfet的所述源极及漏极，其中所述反熔丝装置经配置以通过形成以下而短路：第一主击穿区，其安置在所述源极中且在所述栅极悬垂区下方，及第二主击穿区，其安置在所述漏极中且在所述栅极悬垂区下方。
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1.一种反熔丝装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中编程电压被施加在所述栅极与所述第一掺杂区及/或所述栅极与所述第二掺杂区之间，以击穿所述栅极电介质层且使所述反熔丝装置短路。
3.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中所述互连跳线包括铜、钨、钼、镍、钛、钽、铂、银、金、钌、铱、铼、铑或其合金中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中所述互连跳线将所述第一掺杂区及所述第二掺杂区维持在相同的电压电平。
5.根据权利要求4所述的反熔丝装置，其中所述第一掺杂区及所述第二掺杂区通过所述互连跳线经配置为接地，以便通过施加栅极电压来使所述反熔丝装置短路。
6.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其进一步包括具有顶表面、两个侧壁及底部边缘的鳍片，其中所述沟道安置在所述鳍片的所述顶表面及两个侧壁下方。
7.根据权利要求6所述的反熔丝装置，其中所述鳍片直接连接所述第一掺杂区及所述第二掺杂区，且其中所述栅极电介质层安置在所述鳍片的所述顶表面及两个侧壁上。
8.根据权利要求7所述的反熔丝装置，其
9.根据权利要求8所述的反熔丝装置，其中所述反熔丝装置经配置以通过形成以下而短路：
10.根据权利要求9所述的反熔丝装置，其中所述第一对及第二对主击穿区沿着所述鳍片的所述顶角合并。
11.根据权利要求9所述的反熔丝装置，其中邻近所述第一对主击穿区及/或所述第二对主击穿区的所述栅极电介质层经配置以击穿，以便使所述反熔丝装置短路。
12.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中所述沟道、所述第一掺杂区及所述第二掺杂区安置在衬底的前表面下方，且其中所述栅极安置在所述衬底的所述前表面上。
13.根据权利要求12所述的反熔丝装置，其中所述栅极悬垂于所述第一掺杂区的至少一部分及/或所述第二掺杂区的一部分上。
14.根据权利要求13所述的反熔丝装置，其中所述反熔丝装置经配置以通过形成以下而短路：
15.根据权利要求14所述的反熔丝装置，其中邻近所述第一主击穿区或所述第二主击穿区的所述栅极电介质层经配置以击穿，以便使所述反熔丝装置短路。
16.一种反熔丝装置，其包括：
17.根据权利要求16所述的反熔丝装置，其中邻近所述第一对主击穿区及/或所述第二对主击穿区的所述栅极电介质层经配置以击穿，以便使所述反熔丝装置短路。
18.根据权利要求16所述的反熔丝装置，其中所述栅极电介质层经配置以在所述鳍片的所述顶角及所述鳍片的底部边缘中的至少一者处击穿，以便使所述反熔丝装置短路。
19.一种反熔丝装置，其包括：
20.根据权利要求19所述的反熔丝装置，其中邻近所述第一主击穿区及/或所述第二主击穿区的所述栅极电介质层经配置以击穿，以便使所述反熔丝装置短路。
...【技术特征摘要】
1.一种反熔丝装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中编程电压被施加在所述栅极与所述第一掺杂区及/或所述栅极与所述第二掺杂区之间，以击穿所述栅极电介质层且使所述反熔丝装置短路。
3.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中所述互连跳线包括铜、钨、钼、镍、钛、钽、铂、银、金、钌、铱、铼、铑或其合金中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其中所述互连跳线将所述第一掺杂区及所述第二掺杂区维持在相同的电压电平。
5.根据权利要求4所述的反熔丝装置，其中所述第一掺杂区及所述第二掺杂区通过所述互连跳线经配置为接地，以便通过施加栅极电压来使所述反熔丝装置短路。
6.根据权利要求1所述的反熔丝装置，其进一步包括具有顶表面、两个侧壁及底部边缘的鳍片，其中所述沟道安置在所述鳍片的所述顶表面及两个侧壁下方。
7.根据权利要求6所述的反熔丝装置，其中所述鳍片直接连接所述第一掺杂区及所述第二掺杂区，且其中所述栅极电介质层安置在所述鳍片的所述顶表面及两个侧壁上。
8.根据权利要求7所述的反熔丝装置，其中所述栅极电介质层经配置成在所述鳍片的所述顶角及所述鳍片的底部边缘中的至少一者处击穿，以便使所述反熔丝装置短路。
9.根据权利要求8所述的反熔丝装置，其中所述反熔丝装置经配置以通过形成以下而短路：
10.根据权利要求9所述的反熔丝装置，其中所述第一对及第二对主击穿区沿着所述鳍片的...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·G·维杜威特，J·S·雷赫迈耶，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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