静电放电电源轨箝位电路制造技术

本发明专利技术公开一种静电放电电源轨箝位电路和一种包括该静电放电电源轨箝位电路的集成电路。该电源轨箝位电路包括第一电源轨、第二电源轨和第一节点。该电路另外包括n沟道场效应晶体管，该n沟道场效应晶体管具有位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极。该漏极连接到该第一电源轨。该源极和隔离p阱连接到该第一节点。该电路还包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的电容器。该电路另外包括连接在该第一电源轨与该第一节点之间的电阻器。该电路还包括用于控制该场效应晶体管的栅极的反相器，其中该反相器具有连接到该第一节点的输入端。该电路另外包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的可控硅整流器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电放电电源轨箝位电路并且涉及一种包括静电放电电源轨箝位电路的集成电路。
技术介绍
常规的基于RC的静电放电(electrostatic discharge，ESD)电源轨箝位电路由于其快速接通和优良ESD性能特征而经常用于互补金属氧化物半导体集成电路中的全芯片ESD保护方案。此类ESD电源轨箝位电路通常包括RC网络中的一个或多个电阻器和电容器，用于确定电路的时间常数。形成RC网络的组件会占用集成电路中的大量空间。另外，此类电路通常使用较大场效应晶体管(大FET)将ESD电流分流到地面。这种大的场效应晶体管通常可能具有较大备用泄漏电流和电容器的较大栅漏。此外，此类电路在测试期间可能容易发生闩锁故障。
技术实现思路
在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本专利技术的各个方面。从属权利要求的特征的组合可以按需要与独立权利要求的特征进行组合，并且不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样组合。根据本专利技术的一个方面，提供一种静电放电(electrostatic discharge，ESD)电源轨箝位电路，该ESD电源轨箝位电路包括：第一电源轨；第二电源轨；第一节点；n沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电(ESD)电源轨箝位电路，其特征在于，包括：第一电源轨；第二电源轨；第一节点；n沟道场效应晶体管，所述n沟道场效应晶体管包括位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极，其中所述漏极连接到所述第一电源轨，并且其中所述源极和所述隔离p阱连接到所述第一节点；电容器，所述电容器连接在所述第一节点与所述第二电源轨之间；电阻器，所述电阻器连接在所述第一电源轨与所述第一节点之间；反相器，所述反相器用于控制所述场效应晶体管的栅极，其中所述反相器具有连接到所述第一节点的输入端；以及可控硅整流器，所述可控硅整流器连接在所述第一节点与所述第二电源轨之间，用于将流过所述场效应晶体管的ESD电流放电到所述第二电...

【技术特征摘要】
2015.06.16 EP 15172380.61.一种静电放电(ESD)电源轨箝位电路，其特征在于，包括：第一电源轨；第二电源轨；第一节点；n沟道场效应晶体管，所述n沟道场效应晶体管包括位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极，其中所述漏极连接到所述第一电源轨，并且其中所述源极和所述隔离p阱连接到所述第一节点；电容器，所述电容器连接在所述第一节点与所述第二电源轨之间；电阻器，所述电阻器连接在所述第一电源轨与所述第一节点之间；反相器，所述反相器用于控制所述场效应晶体管的栅极，其中所述反相器具有连接到所述第一节点的输入端；以及可控硅整流器，所述可控硅整流器连接在所述第一节点与所述第二电源轨之间，用于将流过所述场效应晶体管的ESD电流放电到所述第二电源轨。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述n沟道场效应晶体管的所述隔离p阱通过所述半导体衬底中的一个或多个n型区隔离。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述一个或多个n型区连接到所述第一电源轨。4.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，包括二极管串，所述二极管串包括连接在所述反相器的输出端与所述第一节点之间的多个二极管。5.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，进一步包括二极管串，所述二极管串包括在所述电容器与所述第二电源轨之间串联连接的多个二极管。6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述可控硅整流器的输出端连接到所述电路的节点，所述节点位于所述电容器与所述二极管串的输入端之间。7.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖大伟，吉多·沃特·威廉·夸克斯，吉耶兹·简·德拉德，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL