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本发明能够有效地同时实现具有超结结构的半导体元件的温度检测以及抑制耐压下降。半导体元件包括：具有在第一导电型区域的内部以相同间隔设置多个第二导电型的柱而成的超结结构的漂移层；周期性地设置于第一导电型区域的表面层的第二导电型的多个阱区域；有选...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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