碳化硅半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种碳化硅半导体装置，其通过形成低电阻的欧姆电极，能维持低的Vf特性，并能提高浪涌电流耐量，减少漏电流。碳化硅半导体装置具备有源区、第一导电型区域和终端区。在有源区具有沟槽内部的第一个第二导电型区域、第一硅化物膜，在相邻的沟槽之间具有第二个第二导电型区域、第二硅化物膜以及第一电极，在终端区具有第三个第二导电型区域。有源区由欧姆区、无效区以及肖特基区构成，所述欧姆区是第一电极与硅化物膜欧姆接合的区域，所述无效区是第一电极与第二导电型区域接触的区域，所述肖特基区是所述第一电极与第一导电型区域肖特基结合的区域。欧姆区、无效区以及肖特基区被设置为条纹形状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅半导体装置。

技术介绍

1、近年来，碳化硅(sic)半导体作为能够制作(制造)超过使用了硅(si)半导体的半导体装置的极限的半导体装置(以下，称为碳化硅半导体装置)的半导体材料而受到关注。特别是，碳化硅半导体与硅半导体相比，利用绝缘击穿电场强度大、热传导率高这样的特长，期待应用于高耐压(例如1700v以上)半导体装置。

2、在碳化硅半导体装置为二极管(以下，称为碳化硅二极管)的情况下，由于能够将构成n-型漂移区的n-型外延层的设计规格设定为较薄的厚度和较高的杂质浓度，因此耐压3300v等级左右为止的碳化硅二极管通常采用肖特基势垒二极管(sbd：schottky barrierdiode)结构。

3、通常，在sbd结构中，半导体基板与正面电极之间的接合面处的电场强度高，存在由于在施加反向电压时电子隧穿肖特基势垒而引起的反向漏电流增大、或者由于碳化硅固有的表面缺陷而引起的反向漏电流增大这样的问题。因此，提出了采用在半导体基板的正面侧混合了肖特基结和pn结而成的结势垒肖特基(jbs：junction barrier s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的碳化硅半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥爪悠一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：