温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种碳化硅半导体装置，其通过形成低电阻的欧姆电极，能维持低的Vf特性，并能提高浪涌电流耐量，减少漏电流。碳化硅半导体装置具备有源区、第一导电型区域和终端区。在有源区具有沟槽内部的第一个第二导电型区域、第一硅化物膜，在相邻的沟槽之间...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。