【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种基于晶闸管的静电放电保护器件。
技术介绍
1、基于可控硅整流器(scr)(或晶闸管)的静电放电(esd)保护器件由n阱与p阱之间的反向击穿电压触发，并且具有高触发电压。另外，由于内部寄生双极结型晶体管(bjt)，基于scr的典型静电保护器件具有低电平保持电压。
2、高电平触发电压会损坏诸如构成电子设备的晶体管之类的器件，并且低电平保持电压会导致其中esd保护器件即使在终止esd电压的输入之后仍运行的闩锁现象。换言之，随着在触发esd保护器件之后电压值降低的部分(例如，回弹部分)的窗口变宽，电子设备的可靠性会降低。
3、因此，需要设计一种esd保护器件来保护电子设备的可靠性，该esd保护器件通过降低触发电压的电平和增加保持电压的电平以防止在esd电压输入终止之后的闩锁现象来有效地保护电子设备。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种基于晶闸管的静电放电保护器件，该静电放电保护器件能够通过降低触发电压的电平来有效地保护电子设备。
2、根据实施例，一种静电放电(esd)保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱；第一扩散区和第二扩散区，第一扩散区具有第一导电类型，第二扩散区具有第二导电类型，其中，第一扩散区和第二扩散区形成在第一阱上并且连接到第一电极；第三扩散区和第四扩散区，第三扩散区具有第一导电类型，第四扩散区具有第二导电类型，其中，第三扩散区和第四扩散区形成在第二阱上并且连接到第二电极；第
3、根据实施例，一种静电放电(esd)保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱、具有第一导电类型的第二阱和具有第二导电类型的第三阱；第一扩散区和第二扩散区，第一扩散区具有第一导电类型，第二扩散区具有第二导电类型，其中，第一扩散区和第二扩散区形成在第一阱上并且连接到第一电极；第三扩散区和第四扩散区，第三扩散区具有第一导电类型，第四扩散区具有第二导电类型，其中，第三扩散区和第四扩散区形成在第二阱上并且连接到第二电极；第五扩散区，具有第一导电类型，形成在第一阱上并且与第二扩散区相邻；第六扩散区，具有第二导电类型，形成在第二阱上并且与第三扩散区相邻；第七扩散区，具有第二导电类型，形成在第一阱上并且与第一扩散区相邻；以及第八扩散区，具有第一导电类型，并且形成在第三阱上。第七扩散区和第八扩散区彼此电连接。
4、根据实施例，一种静电放电(esd)保护器件，包括：衬底，包括具有第一导电类型的第一阱、具有第一导电类型的第二阱和具有第二导电类型的第三阱；第一扩散区和第二扩散区，第一扩散区具有第一导电类型，第二扩散区具有第二导电类型，其中，第一扩散区和第二扩散区形成在第一阱上并且连接到第一电极；第三扩散区和第四扩散区，第三扩散区具有第一导电类型，第四扩散区具有第二导电类型，其中，第三扩散区和第四扩散区形成在第三阱上并且连接到第二电极；第五扩散区，具有第一导电类型，形成在第三阱上并且与第二扩散区相邻；第六扩散区，具有第二导电类型，形成在第三阱上并且与第三扩散区相邻；第七扩散区，具有第二导电类型，并且形成在第二阱上；第八扩散区，具有第一导电类型，并且形成在第三阱上；以及至少一个二极管，将第七扩散区和第八扩散区电连接。
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1.一种静电放电ESD保护器件，包括：
2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述第一导电类型为N导电类型，并且所述第二导电类型为P导电类型。
3.根据权利要求1所述的ESD保护器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述衬底包括具有所述第一导电类型的外延层。
5.根据权利要求1所述的ESD保护器件，
6.根据权利要求1所述的ESD保护器件，
7.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述第二阱中形成有所述第八扩散区的部分具有比所述第二阱的其余部分的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且
8.根据权利要求1所述的ESD保护器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的ESD保护器件，还包括：
10.根据权利要求9所述的ESD保护器件，
11.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述第一电极为阳电极，并且所述第二电极为阴电极。
12.一种静电放电ESD保护器件，包括：
13.根据权利要求12所述的ESD保护器件，还包括
14.根据权利要求12所述的ESD保护器件，其中，所述第三阱设设置在所述第一阱与所述第二阱之间。
15.根据权利要求12所述的ESD保护器件，
16.根据权利要求12所述的ESD保护器件，还包括：
17.根据权利要求16所述的ESD保护器件，还包括：
18.根据权利要求17所述的ESD保护器件，
19.一种静电放电ESD保护器件，包括：
20.根据权利要求19所述的ESD保护器件，
...【技术特征摘要】
1.一种静电放电esd保护器件，包括：
2.根据权利要求1所述的esd保护器件，其中，所述第一导电类型为n导电类型，并且所述第二导电类型为p导电类型。
3.根据权利要求1所述的esd保护器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的esd保护器件，其中，所述衬底包括具有所述第一导电类型的外延层。
5.根据权利要求1所述的esd保护器件，
6.根据权利要求1所述的esd保护器件，
7.根据权利要求1所述的esd保护器件，其中，所述第二阱中形成有所述第八扩散区的部分具有比所述第二阱的其余部分的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且
8.根据权利要求1所述的esd保护器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的esd保护器件，还包括：
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋宗圭，金珉昊，许镇，都擎逸，宋周永，全灿熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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