【技术实现步骤摘要】
一些示例实施例涉及半导体封装件，包括其中堆叠有多个半导体芯片的半导体封装件。
技术介绍
1、最近，半导体封装件可以具有其中封装有多个堆叠的半导体芯片的结构。由于期望或需要半导体封装件存储高容量数据，因此堆叠在半导体封装件中的半导体芯片的数量会增加。因此，半导体封装件中的热阻可能增加。
技术实现思路
1、一些示例实施例提供了热阻降低的半导体封装件。
2、根据一些示例实施例，一种半导体封装件包括第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：电路层，所述电路层位于第一衬底的第一表面上；第一贯穿硅通路，所述第一贯穿硅通路穿过所述第一衬底；第一下凸块焊盘，所述第一下凸块焊盘位于所述第一衬底上的所述电路层上，每个所述第一下凸块焊盘连接到对应的一个所述第一贯穿硅通路；以及第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘位于所述第一衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一衬底的所述第一表面相对，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘中的每一者连接到对应的一个所述第一贯穿硅通路。所述半导体封装件还包括第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括位于第二衬底的第一表面上的电路层和位于所述第二衬底上的所述电路层上的第二下凸块焊盘。所述半导体封装件还包括：第一焊料凸块，所述第一焊料凸块位于所述第一上凸块焊盘和所述第二下凸块焊盘之间，以接合所述第一上凸块焊盘和所述第二下凸块焊盘；以及多个第二焊料凸块，所述多个第二焊料凸块位于所述第二上凸块焊盘和所述第二下凸块焊盘之间，以接合所述第二上凸
3、根据一些示例实施例，一种半导体封装件包括缓冲器裸片、顺序堆叠在所述缓冲器裸片上的多个第一半导体芯片以及在所述缓冲器裸片上覆盖所述第一半导体芯片的密封构件。每个所述第一半导体芯片包括：电路层，所述电路层位于第一衬底的第一表面上；第一贯穿硅通路，所述第一贯穿硅通路穿过所述第一衬底；下凸块焊盘，所述下凸块焊盘位于所述第一衬底上的所述电路层上，每个所述下凸块焊盘连接到对应的一个所述第一贯穿硅通路；第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘位于所述第一衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一衬底的所述第一表面相对，其中，所述第二凸块焊盘的上表面面积大于所述第一凸块焊盘的上表面面积；以及第一焊料凸块，所述第一焊料凸块位于所述第一凸块焊盘与所述多个第一半导体芯片中的在所述第二表面上方的第一半导体芯片的所述下凸块焊盘中的相应的下凸块焊盘之间。所述半导体封装件还包括多个第二焊料凸块，所述多个第二焊料凸块位于所述第二凸块焊盘与多个第一半导体芯片中的在所述第二表面上方的所述第一半导体芯片的所述下凸块焊盘中的相应的多个下凸块焊盘之间。
4、根据一些示例实施例，一种半导体封装件包括第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：下凸块焊盘，所述下凸块焊盘位于第一衬底的第一表面上；以及第一上凸块焊盘和第二上凸块焊盘，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘位于所述第一衬底的第二表面上，所述第二表面与所述第一衬底的所述第一表面相对，其中，所述第二上凸块焊盘的上表面面积大于所述第一上凸块焊盘的上表面面积。所述半导体封装件还包括：焊料凸块，所述焊料凸块位于所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘中的每一者上；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片通过所述焊料凸块接合在所述第一半导体芯片上，其中，一个所述焊料凸块位于所述第一上凸块焊盘上，并且多个所述焊料凸块位于所述第二上凸块焊盘上。
5、在一些示例实施例中，所述半导体封装件可以包括半导体芯片，并且每个半导体芯片可以包括第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，第二凸块焊盘具有比每个第一凸块焊盘的上表面面积大的上表面面积。可以在第二凸块焊盘上形成多个第二焊料凸块，并且上半导体芯片可以通过所述第二焊料凸块接合在半导体芯片上。一些第二焊料凸块可以用作热路径凸块。因此，半导体封装件中的热阻可以降低。
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1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二上凸块焊盘的上表面面积大于所述第一上凸块焊盘的上表面面积。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘均包括铜、锡、镍、金或银中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，一个所述第一焊料凸块接合到一个所述第一上凸块焊盘。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二焊料凸块包括信号传输凸块和热路径凸块。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
10.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述多个第二焊料凸块在所述第二凸块焊盘上彼此间隔开。
12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二上凸块焊盘的上表面面积大于所述第一上凸块焊盘的上表面面积。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一上凸块焊盘和所述第二上凸块焊盘均包括铜、锡、镍、金或银中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，一个所述第一焊料凸块接合到一个所述第一上凸块焊盘。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个第二焊料凸块包括信号传输凸块和热路径凸块。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
10.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述多个第二焊料凸块在所述第二凸块焊盘上彼此间隔开。
12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，
13.根据...
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