半导体器件及其制造方法技术

提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一接合电介质层，该第一接合电介质层被定位在第一半导体结构的最上部分中并且包括第一开口；第二半导体结构，该第二半导体结构被定位在第一半导体结构之上并且包括第二接合电介质层，该第二接合电介质层被定位在第二半导体结构的最下部分中并且包括第二开口，第二开口连接到第一开口；扩散阻挡层，该扩散阻挡层沿着第一开口的内壁和第二开口的内壁形成；以及含金属层，该含金属层填充形成有扩散阻挡层的第一开口和第二开口。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容的各种实施例涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括彼此堆叠的两个或更多个半导体结构的半导体器件。

技术介绍

1、电子产品在尺寸上越来越小，并且能够处理大容量数据。相应地，用在这些电子产品中的半导体结构(诸如半导体芯片和晶圆等)具有较小的厚度和较小的尺寸。此外，正在实现在一个半导体器件中嵌入多个半导体结构的形式。

2、这些多个半导体结构彼此电连接，并且在垂直方向上堆叠。

技术实现思路

1、本公开内容的实施例旨在提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，该半导体器件具有连接两个半导体结构的接合焊盘的优良电连接特性并且能够防止金属从接合焊盘扩散到接合电介质层。

2、根据本公开内容的一个实施例，一种半导体器件包括：第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一接合电介质层，该第一接合电介质层被定位在第一半导体结构的最上部分中并且包括第一开口；第二半导体结构，该第二半导体结构被定位在第一半导体结构之上并且包括第二接合电介质层，该第二接合电介质层被定位在第二半导体结构的最下部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合电介质层和所述第二接合电介质层彼此直接地接触以形成绝缘体对绝缘体的接合。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡层围绕所述含金属层的侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，被掩埋在所述第一开口中的所述含金属层的上表面的第一部分面对所述第二接合电介质层，以及

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，被掩埋在所述第二开口中的所述含金属层的底表面的第一部分面对所述第一接合电介质层，以及

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合电介质层和所述第二接合电介质层彼此直接地接触以形成绝缘体对绝缘体的接合。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡层围绕所述含金属层的侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，被掩埋在所述第一开口中的所述含金属层的上表面的第一部分面对所述第二接合电介质层，以及

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，被掩埋在所述第二开口中的所述含金属层的底表面的第一部分面对所述第一接合电介质层，以及

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开口从所述第一接合电介质层延伸至穿透所述第一半导体结构的至少一部分，以及

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构包括第一附加接合焊盘，所述第一附加接合焊盘被定位在与所述第一接合电介质层基本相同的水平处，

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二牺牲焊盘和所述第二接合电介质层的步骤包括：

10.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二牺牲焊盘和所述第二接合电介质层的步骤包括：

11.如权利要求8所述的方法，其中，使用湿化学...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙善，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：