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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:41328601
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提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:第一半导体结构,该第一半导体结构包括第一接合电介质层,该第一接合电介质层被定位在第一半导体结构的最上部分中并且包括第一开口;第二半导体结构,该第二半导体结构被定位在第一半导体结构之上并且包括...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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