【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体器件可以包括形成在半导体衬底上的半导体元件、用于连接半导体元件的布线等。随着半导体器件集成度的提高，已经积极地进行了减少用于连接半导体器件的布线面积并有效地布置布线的研究。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有改善的集成度和/或电特性的半导体器件及其制造方法。
2、根据示例实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成多个导电图案，多个导电图案上分别形成有多个停止层，该衬底包括具有多个导电图案的第一图案密度的第一区域和具有多个导电图案的第二图案密度的第二区域，并且第二图案密度低于第一图案密度；在多个导电图案上形成第一层间绝缘层；在第二区域上形成光刻胶图案，光刻胶图案暴露第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分；使用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻第一区域上的第一层间绝缘层；执行第一抛光，以暴露多个停止层中在第一区域上的第一停止层的上表面；蚀刻多个停止层中在第一区域上的第一停止层；在多个导电图案上形成第二层间绝缘层；以及执行第二抛光，以暴露多个导电图案中在第一区域上的第一导电图案的上表面。
3、根据示例实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成其上形成有第一停止层的第一导电图案和其上形成有第二停止层的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案上形成第一层间绝缘层；暴露形成在衬底的第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分，并且在形成在衬底的第二区域上的第一层间绝缘层上形成光刻胶图案，第一区域上
4、根据示例实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在下绝缘层上形成其上形成有第一停止层的第一导电图案和其上形成有第二停止层的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案上形成第一层间绝缘层；暴露下绝缘层的第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分，并且在下绝缘层的第二区域上的第一层间绝缘层上形成光刻胶图案，第一区域上存在第一导电图案，并且第二区域上存在第二导电图案；蚀刻下绝缘层的第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分；执行第一抛光，以暴露第一停止层的上表面；蚀刻第一停止层；在第一导电图案和第二导电图案上形成第二层间绝缘层；以及执行第二抛光，以暴露第一导电图案的上表面。第一导电图案的第一图案密度大于环绕区域的图案密度，并且第二导电图案的第二图案密度小于第一图案密度。
5、根据示例实施例，一种半导体器件包括：衬底，包括具有第一图案密度的第一区域和具有小于第一图案密度的第二图案密度的第二区域；多个导电图案，包括第一区域上的第一导电图案和第二区域上的第二导电图案；停止层，在第二导电图案上；第一层间绝缘层，在第二区域上，并且在第二导电图案的至少一部分上延伸(例如，覆盖第二导电图案的至少一部分)；以及第二层间绝缘层，在第一区域和第二区域上，并且在多个导电图案之间的空间中。第二导电图案是对准键和/或套刻图案。
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1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域是单元区域，并且所述第二区域是外围区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一抛光之后，所述第一层间绝缘层在所述多个停止层中在所述第二区域上的第二停止层的上表面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶图案覆盖所述第二区域上的所述第一层间绝缘层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在分别蚀刻所述多个停止层中在所述第一区域上的所述第一停止层之后，所述多个停止层中在所述第二区域上的第二停止层存在于所述多个导电图案中在所述第二区域上的第二导电图案上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述第一区域上的所述第一层间绝缘层之后，所述第二区域上的所述第一层间绝缘层的上表面位于比所述第一区域上的所述第一层间绝缘层的上表面高至的水平处。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一抛光之后，所述第一区域上的所述第一层间绝缘层的上表面位于比所述第二区域上的所述第一层间绝缘层的上表面低的水平处。
<...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域是单元区域，并且所述第二区域是外围区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一抛光之后，所述第一层间绝缘层在所述多个停止层中在所述第二区域上的第二停止层的上表面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶图案覆盖所述第二区域上的所述第一层间绝缘层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在分别蚀刻所述多个停止层中在所述第一区域上的所述第一停止层之后，所述多个停止层中在所述第二区域上的第二停止层存在于所述多个导电图案中在所述第二区域上的第二导电图案上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述第一区域上的所述第一层间绝缘层之后，所述第二区域上的所述第一层间绝缘层的上表面位于比所述第一区域上的所述第一层间绝缘层的上表面高至的水平处。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一抛光之后，所述第一区域上的所述第一层间绝缘层的上表面位于比所述第二区域上的所述第一层间绝缘层的上表面低的水平处。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述多个停止层中在所述第一区域上的所述第一停止层暴露所述多个导电图案中在所述第一区域上的所述第一导电图案。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个停止层和所述第一层间绝缘层彼此具有蚀刻选择性，并且所述多个停止层和所述第二层间绝缘层彼此具有蚀刻选择性...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔圭勋，河承锡，姜锡明，南瑞祐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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