System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺制造技术_技高网

一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺制造技术

技术编号:41328653 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-13 15:06
本发明专利技术涉及一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺,工艺步骤如下:1)部件来料检查,2)部件前处理,3)部件清洗处理,4)部件清洗处理,5)部件清洗处理,6)部件放置在经过检测的烘箱中干燥,7)高温烘烤至1000℃及降至60℃过程中,8)高温烘烤后,9)部件放置在经过检测的烘箱中干燥,10)最终部件真空加防静电包装。本发明专利技术与现有清洗工艺比较,增加不同频率超声清洗,比现有工艺清洗该类陶瓷材质顶针产品,浅表层不同粒径颗粒污染物更有针对性的去除。与传统的清洗增加烘箱清洁和检测过程,控制住在清洗过程中设备内部洁净度和残留物在烘烤过程中向部件内部扩散,对部件造成的污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学气相沉积类精密零部件残留去除,针对一种化学气相沉积设备中用于托起晶圆的关键核心零部件,采用的高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺


技术介绍

1、在化学气相沉积真空腔室内,通入一种或多种气体,在特定温度下,生成一种固体或一种固体多种气体,其中固体直接沉积在晶圆表面,形成薄膜,通入的剩余气体和成的一种或多种气体和被泵抽出去,在这个过程中,要保证真空腔室内零部件表面洁净度,防止有其他颗粒掉入晶圆上污染晶圆。

2、晶圆厂化学气相沉积真空腔室内托载晶圆的顶针类产品是高纯度氧化铝陶瓷材质,目前在国内厂商清洗后,存在化学残留问题,由于高纯氧化铝陶瓷材质内部是孔隙结构,在经过化学清洗后,陶瓷材质内部存在化学残留,现有的清洗工艺仅能将该产品表面污染物清洗干净,不能对材质内部孔隙吸附的化学残留清洗干净,在晶圆厂使用的过程中,化学残留物析出与制成气体发生反应,生成污染物微粒子,这些微粒子掉落在晶圆表面上后,污染晶圆,导致晶圆良率降低,严重的时候会导致晶圆报废。

3、本申请通过去除化学残留工艺,可以解决以上问题,提升了晶圆在生产过程中由于顶针部件化学残留问题造成的污染。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是解决晶圆在化学气相沉积制造过程中,顶针部件与晶圆接触的化学残留在晶圆制造过程中的污染问题。

2、本专利技术采用的技术方案是:

3、一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺,其特征在于,工艺步骤如下:

4、1)部件来料检查,使用强光手电筒和放大镜目视检查部件表面是否有缺损、裂纹等缺陷;

5、2)部件前处理,使用ipa整体擦拭表面,确保部件表面无指纹、汗液等污染物;

6、3)部件清洗处理,将部件浸入低频超声波中,清洗5-25min以上;清洗过程中开启动态纯水溢流,清洗参数为超声波频率:20-28khz,动态溢流水量:6-18l/min,纯水电阻值为溢流出水口≥1mω;

7、4)部件清洗处理,将部件浸入中频超声波中,清洗5-25min以上;清洗过程中开启动态纯水溢流,清洗参数为超声波频率:28-40khz,动态溢流水量:6-18l/min,纯水电阻值为溢流出水口≥2mω;

8、5)部件清洗处理,将部件浸入高频超声波中,清洗5-25min以上;清洗过程中开启动态纯水溢流,清洗参数为超声波频率:132-168khz,动态溢流水量:6-18l/min,纯水电阻值为溢流出水口≥4mω;

9、6)部件放置在经过检测的烘箱中干燥;

10、7)高温烘烤至1000℃及降至60℃过程中,温度控制如下:

11、0-200℃为自由升温;

12、200-300℃所需时间 60-120min;

13、300-400℃所需时间 60-120min;

14、400-500℃所需时间 60-120min;

15、500-500℃所需时间 60-120min;

16、500-600℃所需时间 60-120min;

17、600-700℃所需时间 60-120min;

18、700-800℃所需时间 60-120min;

19、800-800℃所需时间 60-120min;

20、800-900℃所需时间 60-120min;

21、900-1000℃所需时间 60-120min;

22、1000-1000℃所需时间 120-180min;

23、1000℃-800℃所需时间 60-120min;

24、800-600℃所需时间 60-120min;

25、600-400℃所需时间 60-120min;

26、400-200℃所需时间 60-120min;

27、200-60℃为自然冷却;

28、8)高温烘烤后,将部件浸入高频超声波中,清洗5-25min以上;清洗过程中开启动态纯水溢流,清洗参数为超声波频率:132-168khz,动态溢流水量:6-18l/min,纯水电阻值为溢流出水口≥4mω,环境要求:100-10级无尘室;

29、9)部件放置在经过检测的烘箱中干燥,环境要求:100-10级无尘室;

30、10)最终部件真空加防静电包装。

31、所述6)部件放置在经过检测的烘箱中干燥,干燥前对烘箱进行清洁;

32、烘箱清洁步骤:①无尘布蘸ipa擦拭内胆和特氟龙材质工装,②无尘布蘸2% -10%mos级硝酸擦拭内胆和特氟龙材质工装,③纯水蘸无尘布擦拭内胆和特氟龙材质工装。

33、清洁后对烘箱检测,烘箱检测步骤:①准备同一盒装中的两片全新硅片,②取出一片放置在烘箱内工装上,标记为硅片a,一片作为参照硅片,在盒中不做任何操作,标记为b,③烘箱开启,设定温度105-150℃,烘箱内温度达到105℃开始计时,烘烤2-4小时,④自然冷却至室温,取出烘箱内硅片a,⑤封装硅片a和b,检测,两片硅片的化学酸根残留在1.0x10-6次方以上,即烘箱检测合格,如烘箱检测不合格,重复烘箱清洁步骤,直至烘箱检测合格。

34、本专利技术具备的优点是:

35、1)与现有清洗工艺比较,增加不同频率超声清洗,比现有工艺清洗该类陶瓷材质顶针产品,浅表层不同粒径颗粒污染物更有针对性的去除。

36、2)与传统的清洗增加烘箱清洁和检测过程,控制住在清洗过程中设备内部洁净度和残留物在烘烤过程中向部件内部扩散,对部件造成的污染。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺,其特征在于,工艺步骤如下:

2.根据权利要求1所述的一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种高纯氧化铝材质顶针类部件化学残留去除工艺,其特征在于,工艺步骤如下:

2.根据权利要求1所述的一种高纯氧化铝材质顶...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志远李文明
申请(专利权)人:沈阳富创精密设备股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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