半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，该半导体器件具有：设置在半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在半导体衬底上并以包围凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过凸状态的第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在第一导电层之上的第二绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其是涉及熔断元件。
技术介绍
以往，在半导体集成电路中，为了针对在晶圆工艺中制作出的多晶硅电阻等的电阻值能够在事后的工序中进行调整，广泛使用了被称为电阻微调电路的电阻值调整用的电路。其中，尤其，激光微调熔断是如下技术：构成为能够使用激光切断所期望的熔断元件，被用于需要多个熔丝的半导体集成电路。在纵型结构功率器件(作为一例列举IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管))中，根据内置于功率器件的温度检测二极管的VF特性来检测功率器件的温度信息，具有保护IGBT元件不被过于加热的功能(加热保护功能)。但是，在功率器件中形成的温度检测二极管由于无法形成在Si衬底上，所以在形成于Si衬底上的氧化膜上的多晶硅层中形成，从而存在VF特性的偏差大、无法进行高精度的温度检测的问题。在本专利技术中，设置了通过修正该温度检测二极管特性的偏差来提高温度检测精度的功能。关于这点，例如设置有用于检测温度检测二极管的信息的微调元件，并提出基于激光切断的微调(trimming)方式等各种方式。另一方面，在通常的半导体集成电路工艺中的基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：具有主表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在所述半导体衬底上并以包围所述凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过所述凸状态的所述第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在所述第一导电层之上的第二绝缘膜。

【技术特征摘要】
2015.08.26 JP 2015-1668141.一种半导体器件，其特征在于，具有：具有主表面的半导体衬底；设置在所述半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在所述半导体衬底上并以包围所述凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过所述凸状态的所述第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在所述第一导电层之上的第二绝缘膜。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包含与所述第一导电层电连接的功率类的晶体管元件。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述功率类的晶体管元件的漏极或集电极被施加有高电压，所述第一扩散层设定成接地电压或接地电压附近的电位。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述功率类的晶体管元件包含：沟槽栅极；设置在所述沟槽栅极之间的第二扩散层，所述第二扩散层和所述第一扩散层在同一工序中形成。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还具有包含用于隔离的第三绝缘膜在内的终端构造，所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜在同一工序中形成，所述第一绝缘膜的膜厚设定成300nm以上。6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述晶体管元件具有包含第二导电层的栅极，所述熔断元件的所述第一导电层和所述栅极的所述第二导电层在同一工序中形成。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具有终端构造，该终端构造具有为了缓和环状的电场集中而设置的第二扩散层，所述第二扩散层和所述第一扩散层在同一工序中形成。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层在第一方向上跨过所述第一绝缘膜，形成为凸状态的所述第一绝缘膜形成为在所述第一方向上具有20μm以下的宽度。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有包含第二导电层的二极管元件，所述熔断元件的所述第一导电层和所述二极管元件的所述第二导电层在同一工序中形成。10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述熔断元件的所述第一导电层的规定区域的膜厚通过蚀刻来调整。11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥幸雄，松浦仁，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP